利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)極簡(jiǎn)單的測(cè)溫電路
利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)極簡(jiǎn)單的測(cè)溫電路
單片機(jī)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用已經(jīng)越來越廣泛，在很多的電子產(chǎn)品中也用到了溫度檢測(cè)和溫度控制，但那些溫度檢測(cè)與控制電路通常較復(fù)雜，成本也高，本文提供了一種低成本的利用單片機(jī)多余I／O口實(shí)現(xiàn)的溫度檢測(cè)電路，該電路非常簡(jiǎn)單，且易于實(shí)現(xiàn)，并且適用于幾乎所有類型的單片機(jī)。其電路如下圖所示：
圖中：
P1.0、P1.1和P1.2是單片機(jī)的3個(gè)I／O腳；
RK為100k的精密電阻；
RT為100K－精度為1％的熱敏電阻；
R1為100Ω的普通電阻；
C1為0.1μ的瓷介電容。
其工作原理為：
1.先將P1.0、P1.1、P1.2都設(shè)為低電平輸出，使C1放電至放完。
2.將P1.1、P1.2設(shè)置為輸入狀態(tài)，P1.0設(shè)為高電平輸出，通過RK電阻對(duì)C1充電，單片機(jī)內(nèi)部計(jì)時(shí)器清零并開始計(jì)時(shí)，檢測(cè)P1.2口狀態(tài)，當(dāng)P1.2口檢測(cè)為高電平時(shí)，即C1上的電壓達(dá)到單片機(jī)高電平輸入的門嵌電壓時(shí)，單片機(jī)計(jì)時(shí)器記錄下從開始充電到P1.2口轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間T1。
3.將P1.0、P1.1、P1.2都設(shè)為低電平輸出，使C1放電至放完。
4.再將P1.0、P1.2設(shè)置為輸入狀態(tài)，P1.1設(shè)為高電平輸出，通過RT電阻對(duì)C1充電，單片機(jī)內(nèi)部計(jì)時(shí)器清零并開始計(jì)時(shí)，檢測(cè)P1.2口狀態(tài)，當(dāng)P1.2口檢測(cè)為高電平時(shí)，單片機(jī)計(jì)時(shí)器記錄下從開始充電到P1.2口轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間T2。
5.從電容的電壓公式：
可以得到：T1／RK＝T2／RT，即 RT＝T2×RK／T1
通過單片機(jī)計(jì)算得到熱敏電阻RT的阻值。并通過查表法可以得到溫度值。
從上面所述可以看出，該測(cè)溫電路的誤差來源于這幾個(gè)方面：?jiǎn)纹瑱C(jī)的定時(shí)器精度，RK電阻的精度，熱敏電阻RT的精度，而與單片機(jī)的輸出電壓值、門嵌電壓值、電容精度無關(guān)。因此，適當(dāng)選取熱敏電阻和精密電阻的精度，單片機(jī)的工作頻率夠高，就可以得到較好的測(cè)溫精度。
當(dāng)單片機(jī)選用4M工作頻率，RK、RT均為1％精度的電阻時(shí)，溫度誤差可以做到小于1℃。
如果P1.2具有外部上升沿中斷的功能，程序可以更簡(jiǎn)單，效果更好。
單片機(jī)工作的程序流程圖如下：
