1、 標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、 老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。
6、 靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。