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陶瓷基片,陶瓷基片的分類,陶瓷基片參數(shù)指標(biāo)等
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陶瓷基片,陶瓷基片的分類,陶瓷基片參數(shù)指標(biāo)等  2011/10/3

目錄

  • 陶瓷基片主要特點(diǎn)
  • 陶瓷基片分類
  • 電子封裝陶瓷基片材料的特點(diǎn)
  • 陶瓷基片發(fā)展方向
陶瓷基片

陶瓷基片主要特點(diǎn)

  •   陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等主要優(yōu)點(diǎn),但陶瓷基片較脆,制成的基片面積較小,成本高。

陶瓷基片分類

  •   按照陶瓷基片應(yīng)用領(lǐng)域的不同,又分為HIC(混合集成電路)陶瓷基片、聚焦電位器陶瓷基片、激光加熱定影陶瓷基片、片式電阻基片、網(wǎng)絡(luò)電阻基片等;按加工方式的不同,陶瓷基片分為模壓片、激光劃線片兩大類。

電子封裝陶瓷基片材料的特點(diǎn)

  •   陶瓷基片是一種常用的電子封裝基片材料,與塑 封料和金屬基片相比,其優(yōu)勢(shì)在于以下幾個(gè)方面:

      1) 絕緣性能好,可靠性高。高電阻率是電子元件對(duì)基片 的最基本要求,一般而言,基片電阻越大,封裝可靠 性越高,陶瓷材料一般都是共價(jià)鍵型化合物,其絕緣 性能較好。

      2) 介電系數(shù)較小,高頻特性好。陶瓷材料 的介電常數(shù)和介電損耗較低,可以減少信號(hào)延遲時(shí)間, 提高傳輸速度。

      3) 熱膨脹系數(shù)小,熱失配率低。共價(jià) 鍵型化合物一般都具有高熔點(diǎn)特性,熔點(diǎn)越高,熱膨 脹系數(shù)越小,故陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)一般較小。

      4) 熱導(dǎo)率高。根據(jù)傳統(tǒng)的傳熱理論,立方晶系的BeO、 SiC 和AlN 等陶瓷材料,其理論熱導(dǎo)率不亞于金屬的。

      因此,陶瓷基片材料被廣泛應(yīng)用于航空、航天和軍事 工程的高可靠、高頻、耐高溫、強(qiáng)氣密性的產(chǎn)品封裝。 陶瓷基片材料的封裝一般為多層陶瓷基片封裝, 該技術(shù)源于1961 年P(guān)ARK 發(fā)明的流延工藝,后來被 廣泛地用于混合集成電路(HIC)和多芯片模件(MCM) 陶瓷封裝。

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