DDR存儲器,DDR存儲器的分類,DDR存儲器參數(shù)指標(biāo)等
DDR存儲器的主要優(yōu)勢就是能夠同時在時鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，數(shù)據(jù)傳輸頻率為200 MHz，而總線速度則為100 MHz。
DDR1、DDR2和DDR3存儲器的電壓分別為2.5、1.8和1.5V，因此與采用3.3V的正常SDRAM芯片組相比，它們在電源管理中產(chǎn)生的熱量更少，效率更高。
延時性是DDR存儲器的另一特性。存儲器延時性可通過一系列數(shù)字體現(xiàn)，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。這些數(shù)字表明存儲器進行某一操作所需的時鐘脈沖數(shù)，數(shù)字越小，存儲越快。
這些數(shù)字代表的操作如下：CL- tRCD – tRP – tRAS – CMD。要理解它們，您必須牢記存儲器被內(nèi)部組織為一個矩陣，數(shù)據(jù)保存在行和列的交叉點。
CL：列地址選通脈沖（CAS）延遲，是從處理器發(fā)出數(shù)據(jù)內(nèi)存請求到存儲器返回內(nèi)存間的時間。
tRCD：行地址選通脈沖（RAS）到CAS的延遲，是激活行（RAS）和激活列（CAS）間的時間，其中，數(shù)據(jù)保存在矩陣中。
tRP：RAS預(yù)充電時間，是禁用數(shù)據(jù)行接入和開始另一行數(shù)據(jù)接入間的時間。
tRAS：激活預(yù)充電延時，是在啟動下一次存儲器接入前存儲器必須等待的時間。
CMD：命令速率是存儲芯片激活和向存儲器發(fā)送第一個命令間的時間。有時，該值不會公布。它通常是T1（1個時鐘速度）或T2（2個時鐘速度）。
表1是在當(dāng)今計算機中可以發(fā)現(xiàn)的RAM存儲器芯片組的時鐘和傳輸速率的比較，包括SDR、DDR、DDR2和未來的DDR3模塊。
目前，有三代DDR存儲器：
