SRAM存儲器,SRAM存儲器的分類,SRAM存儲器參數(shù)指標(biāo)等
對已完成的SRAM存儲器主板進(jìn)行操作。在MSDOS模式下啟動，利用DEBUG指令，從D0000h開始試著進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀／寫操作。如果確認(rèn)了主板能夠正常運(yùn)行，則為各份電源連接器（CN2）提供電源，去掉個人計(jì)算機(jī)的電源，損耗電流在40μA左右。重新啟動MS－DOS模式，讀取剛才寫人的地址，因?yàn)槟軌蜃x出所寫人的數(shù)據(jù)，因而可知各份電源是起到了相應(yīng)的作用的。
由于從D0000h開始的領(lǐng)域?yàn)镻C／AT的擴(kuò)展BIOS領(lǐng)域，所以，如果SRAM上事先寫入了附加頭信息等的數(shù)據(jù)，則在操作系統(tǒng)啟動前將被調(diào)用。在SRAM上安裝各種經(jīng)過仔細(xì)研究的程序進(jìn)行試驗(yàn)，你就會有非常有趣的發(fā)現(xiàn)。
SRAM與閃速存儲器等不同，它的替換操作是非常簡單的，可以以1字節(jié)為單位進(jìn)行替換，并且不需要替換時間。一旦拔掉電池?cái)?shù)據(jù)將丟失，因而在實(shí)施ROM化之前的階段，可以進(jìn)行各種各樣的實(shí)驗(yàn)，這是其方便之處。
1. 地址緩沖器
在提供給存儲器的SA0～SA15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74LS244也可以，但因?yàn)?41LS245布線簡單，所以通過74LS245可單向使用。
2. 數(shù)據(jù)緩沖器
因?yàn)閿?shù)據(jù)需要雙向進(jìn)行，所以要利用74LS245進(jìn)行接收。將柵極一直打開，通過對存儲器的讀信號來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將PLD上存儲器的讀信號設(shè)置為只在CS1有效時才輸出的方法。
3. PLD（MEMDEC）
LD應(yīng)用于生成對存儲器的片選、DE以及WE信號中。片選信號是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬⊿A16～SA19）為Dh（將D0000h～DFFFFh設(shè)置在SRAM主板空間）、且BALE為低電平時被選擇的。
將存儲器的讀／寫信號設(shè)置為當(dāng)片選和SMEMR／SMEMW有效時輸出。
4. 各份電源的切換
電池各份的重點(diǎn)在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取Vcc和電池（為CN2提供3.6V的電池）的二極管OR，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多，則可能發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
5. 片選控制
