1、擊穿電壓VDSS 測量范圍: 0—1999V, 精度:≤2.5[%] 。
2、IDSS 可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。
3、柵極開啟電壓VGS(th) 測量范圍: 0—10V。 精度:≤5[%] 。
4、Gfs 跨導(dǎo)測試電流Idm:不小于1—50 A 連續(xù)可調(diào), 精度:≤10 [%] 。
5、Gfs 跨導(dǎo)測試范圍:1—100 。
6、電源電壓:AC220V,50HZ, 功率:≤30W。
7、工作環(huán)境:0—40°C , 相對濕度:≯85[%] 。
8、外形尺寸:280×230×130mm 。
9、重量:約3 Kg 。
1、功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs 的測試。
2、IGBT 的擊穿電壓V(BR)CES、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs 的測試。
3、功率場效應(yīng)管和IGBT 在50A 以下大電流狀態(tài)下一致性的測試,可用于配對。
4、其它更大電流的功率場效應(yīng)管及IGBT 在50A 電流條件下的測試。
5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。
6、壓敏電阻電壓的測試等。
打開電源開關(guān)前應(yīng)檢查:Idm開關(guān)和高壓開關(guān)應(yīng)撥在OFF 位置上。
1、塑封功率場效應(yīng)管的測試: 按第五條:“測試盒與附加測試線”的說明,連接好場效應(yīng)管專用測試盒和專用的兩根粗的附加測試線。
、、擊穿電壓 VDSS 和柵極開啟電壓 VGS(th)的測量:先根據(jù)被測管測量 VDSS 和 VGS (th)的技術(shù)條件,選擇好Idss 開關(guān)上的電流值(在不知道測試條件時一般是MOS 功率場效應(yīng)管選擇250uA,IGBT 選擇1mA)。把高壓開關(guān)撥至ON,先調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”電位器使數(shù)字表顯示在大于被測器件擊穿電壓的 130[%]-150[%]左右,測試時只要擊穿指示燈亮了就說明電壓已經(jīng)夠了,反之則再調(diào)高一些也無仿,注意:調(diào)好后必須把“高壓”開關(guān)關(guān)斷(OFF 位置上)。