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　　瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。

　　I型（CC型）特點是體積小，損耗低，電容對頻率，溫度穩(wěn)定性都較高，常用于高頻電路。

　　II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩(wěn)定性都較差，常用于低頻電路。

　　據(jù)《GJB192A瓷介電容器總規(guī)范》規(guī)定，瓷介電容技術的工序應該包括但不限于下列工序

　　a 原材料的配料與混合

　　b 介質(zhì)片的制造

　　c 疊片和印制電極

　　d 層壓和切塊

　　e 芯片燒結

　　f 端電極涂鍍

　　g 包裝

　　CT1型圓形瓷片低頻電容

　　環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差：101—472 （+-10%）472-403（+80-- -20%）

　　CC01圓形瓷片電容：

　　環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg

　　允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

　　溫度系數(shù)：1—4P +120(+-60)PPM  4—56P –47(+-60)PPM

　　56—180P –750(+-250)PPM

　　180—390P –1300(+-250)PPM

　　430—820P –3300(+-500)PPM

　　CT01圓形瓷片電容：