FET,FET的原理簡(jiǎn)述，F(xiàn)ET的結(jié)構(gòu)，F(xiàn)ET的分類(lèi)，F(xiàn)ET的極性判斷
現(xiàn)在越來(lái)越多的電子電路都在使用場(chǎng)效應(yīng)管, 特別是在音響領(lǐng)域更是如此, 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管不同, 它是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件) , 其特性更象電子管, 它具有很高的輸入阻抗, 較大的功率增益, 由于是電壓控制器件所以噪聲小, 其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖如圖 C-a.
場(chǎng)效應(yīng)管是一種單極型晶體管, 它只有一個(gè) P-N 結(jié), 在零偏壓的狀態(tài)下, 它是導(dǎo)通的, 如果在其柵極(G) 和源極(S) 之間加上一個(gè)反向偏壓(稱柵極偏壓) 在反向電場(chǎng)作用下 P-N 變厚 (稱耗盡區(qū)) 溝道變窄, 其漏極電流將變小, (如圖 C1-b) , 反向偏壓達(dá)到一定時(shí), 耗盡區(qū)將完全溝道"夾斷", 此時(shí), 場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)如圖 C-c, 此時(shí)的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓, 用Vpo 表示, 它與柵極電壓Vgs 和漏源電壓Vds 之間可近以表示為Vpo=Vps+| Vgs| , 這里| Vgs| 是 Vgs 的絕對(duì)值.
下圖是ＦＥＴ簡(jiǎn)單的的結(jié)構(gòu)示意圖（Ｐ溝ＦＥＴ是Ｐ型半導(dǎo)體部分與Ｎ型半導(dǎo)體部分互換）。
雙極晶體管的基極發(fā)射極間以及基極集電極間分別是兩個(gè)ＰＮ結(jié)，就是說(shuō)存在著二極管。ＪＦＥＴ的柵極與溝道（把輸出電路流過(guò)漏極源極間的部分稱為溝道）間有ＰＮ結(jié)，所以認(rèn)為存在著二極管（由于有ＰＮ結(jié)，所以稱為結(jié)型ＦＥＴ）。
如圖所示，ＦＥＴ按照結(jié)構(gòu)可以分為結(jié)型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ：ＪｕｎｃｔｉｏｎＦＥＴ）和絕緣柵ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ：ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦＥＴ）。
按照電學(xué)特性，ＭＯＳＦＥＴ又可以分為耗盡型（ｄｅｌｅｔｉｏｎ）與增強(qiáng)型（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）兩類(lèi)。它們又可以進(jìn)一步分為Ｎ溝型（與雙極晶體管的ＮＰＮ型相當(dāng)）和Ｐ溝型（與雙極晶體管的ＰＮＰ型相當(dāng)）。
從實(shí)際ＦＥＴ的型號(hào)中完全看不出ＪＦＥＴ與ＭＯＳＦＥＴ、耗盡型與增強(qiáng)型的區(qū)別。僅僅是Ｎ溝器件為２ＳＫ×××（也有雙柵的３ＳＫ×××），Ｐ溝器件為２ＳＪ×××，以區(qū)別Ｎ溝和Ｐ溝器件。
