BJT,BJT的原理，BJT的發(fā)展簡史，BJT的制作工藝，BJT的工作狀態(tài)
BJT是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極。
當(dāng)b點電位高于e點電位零點幾伏時，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
在制造BJT時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正確，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（控穴）很容易地截越過發(fā)射結(jié)構(gòu)互相向反方各擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。
由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進入集電區(qū)而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10[%]）的電子在基區(qū)的空穴進行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補紀(jì)念給，從而形成了基極電流Ibo根據(jù)電流連續(xù)性原理得：
Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--稱為直流放大倍數(shù)，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時β1和β的數(shù)值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。
BJT作為電流放大器件，在實際使用中常常利用其電流放大作用，通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/FONT>
1947.12.23日第一只點接觸晶體管誕生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain)
1949年提出PN結(jié)和雙極結(jié)型晶體管理論-Bell Lab.(Shockley)
1951年制造出第一只鍺結(jié)型晶體管-Bell Lab.(Shockley)
1956年制造出第一只硅結(jié)型晶體管-美得洲儀器公（TI）
1956年Bardeen、Shockley、Brattain獲諾貝爾獎
1956年中國制造出第一只鍺結(jié)型晶體管-（吉林大學(xué)高鼎三）
1970年硅平面工藝成熟，雙極結(jié)型晶體管大批量生產(chǎn)
