RCD吸收電路,RCD吸收電路的原理，設(shè)計，與RC電路的比較，影響
若開關(guān)斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關(guān)的寄生電容充電，開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極管導(dǎo)通，開關(guān)電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關(guān)接通期間，吸收電容通過電阻放電。
一﹑首先對mos管的VD進(jìn)行分段：
ⅰ，輸入的直流電壓VDC；
�、ⅲ渭壏瓷涑跫壍腣OR；
�、�，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。
二﹑對于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計算：
�、。斎氲闹绷麟妷篤DC。
在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次級反射初級的VOR。
VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算），二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．
VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns
�、�，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V．
VDS＝VD* 10%
�、ぃ琑CD吸收VRCD．
MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是計算出理論值，再通過實驗進(jìn)行調(diào)整，使得實際值與理論值相吻合．
