若開(kāi)關(guān)斷開(kāi),蓄積在寄生電感中能量對(duì)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電的同時(shí),通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。由于吸收電阻作用,阻抗變大,那么,吸收電容也等效地增加了開(kāi)關(guān)的并聯(lián)電容容量,為此,抑制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的電壓浪涌。開(kāi)關(guān)接通時(shí),吸收電容通過(guò)開(kāi)關(guān)放電,其放電電流被吸收電阻所限制。
為了限制電路電壓上升率過(guò)大,確保晶閘管安全運(yùn)行,常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò),利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感),所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中,因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞晶閘管。同時(shí),避免電容器通過(guò)晶閘管放電電流過(guò)大,造成過(guò)電流而損壞晶閘管。
由于晶閘管過(guò)流過(guò)壓能力很差,如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。
電容的選擇
C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值
如果整流側(cè)采用500A的晶閘管(可控硅)
可以計(jì)算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5mF
選用2.5mF,1kv 的電容器
電阻的選擇:
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
選擇10歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)