FeRam,FeRam的特點，應(yīng)用，發(fā)展前景
從目前的市場情況看，不揮發(fā)存儲器的市場增長速度已高于DRAM和SRAM。應(yīng)用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動電話、掌上電腦、手提計算機、嵌入式微處理器等領(lǐng)域。不揮發(fā)存儲器最巨大的市場增長點在嵌入式存儲器方面。嵌入式存儲器陣列主要用于3個領(lǐng)域；非接觸存儲卡需要低密度（≤16Kb）不揮發(fā)存儲器（NVM），當今市場較小（≤100Ｍ$），但具有巨大市場潛力。智能卡（ＳmartＣard）中需要中等密度到高密度（128Kb-1Mb）的NVM，目前市場規(guī)模為100M$,但增長極其快。嵌入式系統(tǒng)采用各種規(guī)模的ＮＶＭ（--２Ｍb）。估計市場為500M$-1B$,但在今后５年內(nèi)增長極快。目前市場上的較低容量（１Ｍbit以下）的FeRAM的應(yīng)用方向是為了取代同等容量的Ｅ２PROM。為此，其管腳設(shè)計和輸入輸出接口都采用現(xiàn)有的Ｅ２PROM的規(guī)范，這樣就可以做到在對現(xiàn)有系統(tǒng)不作任何改動的情況下，直接取代Ｅ２PROM。
