FRAM存儲(chǔ)器,FRAM存儲(chǔ)器的基本原理，說(shuō)明，指令集，特點(diǎn)，典型應(yīng)用
● 采用2048×8位存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；
● 讀寫(xiě)次數(shù)高達(dá)1百億次；
● 在溫度為55℃時(shí)，10年數(shù)據(jù)保存能力；
● 無(wú)延時(shí)寫(xiě)入數(shù)據(jù)；
● 先進(jìn)的高可靠性鐵電存儲(chǔ)方式；
● 連接方式為高速串行接口（SPI）總線方式，且具有SPI方式0和3兩種方式；
● 總線頻率高達(dá)5MHz；
● 硬件上可直接取代EEPROM；
● 具有先進(jìn)的寫(xiě)保護(hù)設(shè)計(jì)，包括硬件保護(hù)和軟件保護(hù)雙重保護(hù)功能；
● 低功耗，待機(jī)電流僅為10μA；
● 采用單電源+5V供電；
● 工業(yè)溫度范圍：-40℃至+85℃；
● 采用8腳SOP 或DIP封裝形式；
基于以上特點(diǎn)， FRAM存儲(chǔ)器非常適用于非易失性且需要頻繁快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。其應(yīng)用范圍包括對(duì)寫(xiě)周期時(shí)序有嚴(yán)格要求的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和使用EEPROM時(shí)由于其寫(xiě)周期長(zhǎng)而可能會(huì)引起數(shù)據(jù)丟失的工業(yè)控制等領(lǐng)域。
(1) 早期的FRAM讀/寫(xiě)速度不一樣，寫(xiě)入時(shí)間更長(zhǎng)一些，在使用上要注意。近期的FRAM讀/寫(xiě)速度是一樣的。例如，上述FM1808的一次讀/寫(xiě)時(shí)間為70 ns。一般地，一次讀/寫(xiě)的時(shí)間短，而連續(xù)的讀/寫(xiě)周期要長(zhǎng)一些。例如，Ramtron公司新近推出的128 K×8 bit的FRAM芯片F(xiàn)M20L08的一次讀/寫(xiě)時(shí)間為60ns，而其連續(xù)的讀/寫(xiě)周期為150 ns。這對(duì)多數(shù)工控機(jī)來(lái)說(shuō)還是可以滿足要求的。
(2) FRAM在功耗、寫(xiě)入速度等許多方面都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EPROM或EEPROM。這里特別提出的是寫(xiě)入次數(shù)，F(xiàn)RAM比EPROM或EEPROM要大得多。EPROM的寫(xiě)入次數(shù)在萬(wàn)次左右，而EEPROM的寫(xiě)入次數(shù)一般為1萬(wàn)～10萬(wàn)次，個(gè)別芯片能達(dá)到100萬(wàn)次。
早期的FRAM的寫(xiě)入次數(shù)為幾百億次，而目前的芯片可達(dá)萬(wàn)億次甚至是無(wú)限多次。
