NV SRAM技術(shù),比較，應(yīng)用，競爭力
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
NV SRAM中的電池對(duì)于數(shù)據(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會(huì)極大地影響電池壽命。其他因素，如震動(dòng)、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會(huì)縮短電池的使用壽命，同時(shí)也會(huì)影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是：終端客戶更換電池的時(shí)間間隔更短了，例如，每年就需要更換一次，而不是5～10年一次。
NV SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少，頻繁進(jìn)行讀/寫操作，并且數(shù)據(jù)保存速度是至關(guān)重要的系統(tǒng)中。數(shù)控銑床就是一個(gè)例子。假設(shè)機(jī)器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電，機(jī)器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV SRAM模塊，這一任務(wù)是很容易實(shí)現(xiàn)的。選擇的保持時(shí)間應(yīng)等于或大于向EEPROM中存儲(chǔ)程序信息所需的時(shí)間。在數(shù)據(jù)寫入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當(dāng)數(shù)據(jù)緩存。采用這一方案，附加元件的費(fèi)用通常要超出NV SRAM模塊的成本，并且可靠性較低。
在防篡改應(yīng)用，特別是在PoS終端中，數(shù)據(jù)記錄非常重要。如今的智能終端無須經(jīng)過耗時(shí)的遠(yuǎn)程服務(wù)器的驗(yàn)證就能確認(rèn)付款交易。由于安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于終端內(nèi)部，因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在IC內(nèi)部的“安全區(qū)”內(nèi)。然而，仍然需要采取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密數(shù)據(jù)被讀取和解碼。目前所能提供的保護(hù)措施尚不足以對(duì)付那些狡猾的黑客。針對(duì)這一問題，也有一些解決方案，例如，Maxim/Dallas SemicONductor推出了定制的BGA模塊，包含安全微控制器、SRAM、篡改檢測電路，以及定時(shí)和控制功能。
其他需記錄數(shù)據(jù)的應(yīng)用還有機(jī)動(dòng)車黑匣子，需要在發(fā)生碰撞時(shí)應(yīng)將數(shù)據(jù)迅速且可靠地存放在存儲(chǔ)器中。此時(shí)單片BGA以其可靠性再次成為理想之選。數(shù)據(jù)篡改同樣是個(gè)問題，但實(shí)際操作中要解決這一問題，可以將加密數(shù)據(jù)存放到NV SRAM。破解加密數(shù)據(jù)幾乎相當(dāng)于去攻擊付款交易終端，因此對(duì)于黑客來說是不值得的。
