SER,傾向和含意，衡量，SER的根源，測量
α粒子的影響
半導(dǎo)體器件封裝所采用的壓�；衔镏杏锌赡芎兄T如Th232 和U238等雜質(zhì)，這些物質(zhì)往往會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生衰變。這些雜質(zhì)會(huì)釋放出能量范圍為2"9MeV(百萬電子伏特)的α粒子。在硅材料中，形成電子空穴對(duì)所需的能量為3.6eV。這就意味著α粒子有可能生成約106個(gè)電子空穴對(duì)。耗盡區(qū)中的電場將導(dǎo)致電荷漂移，從而使晶體管承受電流擾動(dòng)。如果電荷轉(zhuǎn)移量在0或1的狀態(tài)下超過了存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元中的臨界電荷量(QCRIT)，則存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)發(fā)生翻轉(zhuǎn)。
宇宙射線的影響
高能量的宇宙射線和太陽粒子會(huì)與高空大氣層起反應(yīng)。當(dāng)發(fā)生這種情況時(shí)，將產(chǎn)生高能量的質(zhì)子和中子。中子尤其難對(duì)付，因?yàn)樗鼈兡軌驖B透到大多數(shù)人造結(jié)構(gòu)中(例如，中子能夠輕易地穿透5英尺厚的混凝土)。這種影響的強(qiáng)度會(huì)隨著所處的緯度和海拔高度的不同而變化。在倫敦，該影響要比在赤道地區(qū)嚴(yán)重1.2倍。在丹佛，由于其地處高海拔，因此這種影響要比地處海平面的舊金山強(qiáng)三倍。而在飛機(jī)上，這種影響將是地面上的100"800倍。
高能量中子的能量范圍為10"800MeV，而且，由于它們不帶電荷，所以與硅材料的反應(yīng)不同于α粒子。事實(shí)上，中子必須轟擊硅原子核才會(huì)引起軟誤差。這種碰撞有可能產(chǎn)生α粒子及其他質(zhì)量較重的離子，從而生成電子空穴對(duì)，但這種電子空穴所具有的能量比來自壓模化合物的典型α粒子所具有的能量高。
