雙極型功率晶體管,雙極型功率晶體管的分類,雙極型功率晶體管參數(shù)指標(biāo)等
型號：2SD1258
廠家：松下
結(jié)構(gòu)：NPN
用途：High-hFE
VCBO（V）200（V）
VCEO（V）150（V）
hFE最小值：500
hFE最大值：2000
包裝類型：N-A1、N-G1
圖1是功率晶體管的符號，其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。
圖2是普通NPN型器件局部結(jié)構(gòu)的剖面。圖中1為發(fā)射區(qū)，2為基區(qū)，3為集電區(qū)，4為發(fā)射結(jié)，5為集電結(jié)。
圖3示其工作原理（對于PNP型器件，則需要將兩組電源極性反接）， 其中基極加0.6V左右的正向偏壓，集電極加高得多的反向偏壓（數(shù)十至數(shù)百伏）。發(fā)射結(jié)通過的電流，是由發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的電子形成的，這些電子的小部分在基區(qū)與空穴復(fù)合成為基極電流Ib，其余大部分均能擴(kuò)散到集電結(jié)而被其電場收集到集電區(qū)，形成集電極電流Ic。圖4是與圖3相對應(yīng)的器件的共發(fā)射極輸出特性，它反映了器件的基極控制作用及不同的Ib下，Ic與Vce之間的關(guān)系。從圖4中看出，特性曲線明顯分成3個區(qū)。在線性區(qū)，Ic與Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍數(shù)β=Ic/Ib）；在截止區(qū)，器件幾乎不導(dǎo)電；在飽和區(qū)，器件的飽和壓降僅在1～2V上下(因飽和區(qū)妭CE太小，集電結(jié)電子收集效率很低，器件失去放大作用)。
