異質(zhì)結(jié)雙極晶體管類型很多,主要有以下幾種:
1、SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2、GaAlAs/GaAs異質(zhì)結(jié)晶體管
3、NPN型InGaAsP/InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
4、NPN AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等。
1、基區(qū)可以高摻雜 (可高達1020/cm3),則基區(qū)不易穿通,從而基區(qū)厚度可以很小 (則不限制器件尺寸的縮小);
2、因為基區(qū)高摻雜,則基區(qū)電阻很小,最高振蕩頻率fmax得以提高;
3、基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制不明顯,則大電流密度時的增益下降不大;
4、基區(qū)電荷對C結(jié)電壓不敏感,則Early電壓得以提高;
5、發(fā)射區(qū)可以低摻雜 ( 如1017/cm3),則發(fā)射結(jié)勢壘電容降低,晶體管的特征頻率fT提高;
6、可以做成基區(qū)組分緩變的器件,則基區(qū)中有內(nèi)建電場,從而載流子渡越基區(qū)的時間τB得以減短。