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非晶硅薄膜電池,非晶硅薄膜電池的分類,非晶硅薄膜電池參數(shù)指標(biāo)等
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非晶硅薄膜電池,非晶硅薄膜電池的分類,非晶硅薄膜電池參數(shù)指標(biāo)等  2011/10/3

目錄

  • 非晶硅薄膜電池發(fā)電原理
  • 非晶硅薄膜電池的優(yōu)點
  • 非晶硅薄膜電池發(fā)展前景
非晶硅薄膜電池

非晶硅薄膜電池發(fā)電原理

  •   氫基薄膜硅電池結(jié)構(gòu)處于TCO透明導(dǎo)電層和背電極之間,薄膜電池的各層結(jié)構(gòu)都沉積在一塊玻璃基底之上,氫基薄膜電池包含兩個PIN連結(jié)體,總共六個沉積層。P層相當(dāng)于負(fù)電極,N層相當(dāng)于正電極,而I層則是吸收層。整個PIN連結(jié)體就是一個半導(dǎo)體二極管,I層通過吸收光子后就會促使電子從一個能量級躍升到另一個能量級別,從而生成一個有活性的帶正電的電子和離子,在電池內(nèi)部電勢差的影響下,正電子會流向P層,負(fù)電子會流向N層,從而產(chǎn)生一個電勢差。正電極與透明導(dǎo)電層相連,負(fù)電極與背電極相連,這樣兩個PIN/PIN結(jié)構(gòu)通過串聯(lián)的方式,增加了電壓。

非晶硅薄膜電池的優(yōu)點

  •   非晶硅太陽電池有較好的光譜響應(yīng)特性,在低 光強(qiáng)下有更好的轉(zhuǎn)換效率,在陰雨天氣和沙塵天氣仍然可以繼續(xù)工作,因此其單位功率累計發(fā)電量比晶體硅大”
      非晶硅的禁帶寬度較大,約為1.7eV(單晶硅材料的能帶寬度為1.12eV,砷化鎵的能帶寬度為1.4eV),所以非晶硅電池要比單晶硅和砷化鎵電池具有更好的抗輻射性、高的充電效率(由于其特殊的溫度特性)
      非晶硅薄膜太陽電池的抗輻射能力高于單晶硅電池和砷化鎵電池50-100倍,而且多結(jié)非晶硅太陽電池具有更高的抗輻射能力。
      在同樣的工作溫度下,非晶硅太陽電池的飽和電流遠(yuǎn)小于單晶硅太陽電池和砷化鎵太陽電池,而短路電流溫度系數(shù)卻高于晶體硅電池的1倍,約為 40mA/℃?cm-1,這十分有利在較高溫度下保持較高的Voc和FF。

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