雙列存貯器組件是目前使用的內(nèi)存的主要封裝形式,比如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM,其中SDRAM具有168線引腳并且提供了64bit數(shù)據(jù)尋址能力。DIMM的工作電壓一般是3.3v,并且分為無緩沖(unbuffered)和全緩沖(buffered)兩種。
雙列存貯器組件是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條,DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道,因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳,故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些,并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲(chǔ)器。就目前而言,適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外),適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片),二者不能混合使用。
DIMM與SIMM相當(dāng)類似,不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的,它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào),因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用DIMM,SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同,SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面為84Pin,金手指上有兩個(gè)卡口,用來避免插入插槽時(shí),錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有92Pin,金手指上只有一個(gè)卡口?ǹ跀(shù)量的不同,是二者最為明顯的區(qū)別。
在SIMM和DIMM內(nèi)存之間不僅僅是引腳數(shù)目的不同,另外在電氣特性、封裝特點(diǎn)上都有明顯的差別,特別是它們的芯片之間的差別相當(dāng)?shù)拇。因(yàn)榘凑赵瓉韮?nèi)存制造方法,制造這種內(nèi)存的時(shí)候是不需要把64個(gè)芯片組裝在一起構(gòu)成一個(gè)64bit的模塊的,得益于今年來生產(chǎn)工藝的提高和改進(jìn),現(xiàn)在的高密度DRAM芯片可以具有不止一個(gè)Din和Dout信號(hào)引腳,并且可以根據(jù)不同的需要在DRAM芯片上制造4、8、16、32或者64條數(shù)據(jù)引腳。在Pentium級(jí)以上的處理器是64位總線,使用這樣的內(nèi)存更能發(fā)揮處理器的性能。
如果拿取DIMM 時(shí)不戴接地防靜電設(shè)備,可能會(huì)損壞DIMM。請(qǐng)勿觸碰DIMM 側(cè)面的觸點(diǎn)。
1. 關(guān)閉設(shè)備電源,然后拔下電源線。
2. 打開打印碳粉盒擋門和左側(cè)面板。
3. 抓住DIMM 的頂邊,從防靜電包裝袋中取出DIMM。