RAM主要有存儲矩陣、地址譯碼器和讀/寫控制電路(I/O控制電路)三部分組成。
1.存儲矩陣(數(shù)據(jù)線)
上圖中點畫線框內(nèi)的美國小方塊都代表一個存儲單元,可以存儲1位二值代碼,存儲單元可以是靜態(tài)的(觸發(fā)器),也可以是動態(tài)的(動態(tài)MOS存儲單元)。這些存儲單元一般都按陣列形式排列,形成存儲矩陣,其目的是使地址譯碼更簡單。
2.地址譯碼器(地址線)
分行地址譯碼器和列地址譯碼器兩部分。
3.片選與I/O控制電路(控制線)
當(dāng)一片RAM集成塊不能滿足存儲容量的要求時,可以用若干片RAM連接成一個存儲容量更大的滿足要求的RAM,擴大存儲容量的方法,通常有位擴展和字?jǐn)U展兩種。
1.位擴展
存儲器芯片的字長多數(shù)為1位、4位、8位等。當(dāng)實際的存儲系統(tǒng)的字長超過存儲器芯片的字長時,需要進行位擴展。
位擴展方法:芯片的并聯(lián)(地址線、控制線共用,數(shù)據(jù)線合并)
例如:下圖為用兩片8K×8位的芯片實現(xiàn)的8K×16位的存儲器。
2.字?jǐn)U展
方法:地址線、數(shù)據(jù)線和讀寫控制線連接在一起,而外加譯碼器控制各個芯片的片選端(/CS)。下圖是四片8K×8 位RAMà32K×8 位。
圖中,譯碼器的輸入是高位地址A14、A13,譯碼器的輸出連接各片RAM的片選信號。若A14A13=01,則RAM(2)片的/CS=0,其余各片RAM的/CS均為1,故選中第二片。讀出的內(nèi)容則由低位地址A12~A0決定。顯然,四片RAM輪流工作,任何時候,只有一片RAM處于工作狀態(tài),整個系統(tǒng)字?jǐn)?shù)擴大了四倍,而字長仍為八位。