非易失性存儲(chǔ)器,非易失性存儲(chǔ)器的分類,非易失性存儲(chǔ)器參數(shù)指標(biāo)等
新型易失性存儲(chǔ)器分別為1.鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）2.磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）3.相變存儲(chǔ)器（OUM）。
FeRAM、MRAM和OUM這三種存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相比有很多突出的優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用遠(yuǎn)景十分誘人。近年來，人們對它們的研究己取得了可喜的進(jìn)展，尤其是FeRAM己實(shí)現(xiàn)了初步的貿(mào)易應(yīng)用。但它們要在實(shí)際應(yīng)用上取得進(jìn)一步重大突破，還有大量的研究工作要做。同時(shí)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展是沒有止境的，但是追求更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時(shí)間、更低本錢和更高可靠性的目標(biāo)永遠(yuǎn)不會(huì)改變。
盡管目前非易失性存儲(chǔ)器中最先進(jìn)的就是閃存，但技術(shù)卻并未就此停步。生產(chǎn)商們正在開發(fā)多種新技術(shù)，以便使閃存也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價(jià)、壽命長等特點(diǎn)。
FRAM 是下一代的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，運(yùn)行能耗低，在斷電后能長期保存數(shù)據(jù)。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數(shù)據(jù)的特點(diǎn)。這項(xiàng)技術(shù)利用了鐵電材料可保存信息的特點(diǎn)，使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造工藝來生產(chǎn)，直到近日才研發(fā)成功。但是，F(xiàn)RAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進(jìn)行讀取，F(xiàn)RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就消失了。
MRAM 是非易失性的存儲(chǔ)器，速度比DRAM還快。在實(shí)驗(yàn)室中，MRAM的寫入時(shí)間可低至2.3ns。MRAM擁有無限次的讀寫能力，并且功耗極低，可實(shí)現(xiàn)瞬間開關(guān)機(jī)并能延長便攜機(jī)的電池使用時(shí)間。而且，MRAM的電路比普通存儲(chǔ)器還簡單，整個(gè)芯片只需一條讀出電路。但就生產(chǎn)成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及閃存都高得多。
OUM 是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以替代低功耗的閃存。它擁有很長的讀寫操作壽命，并且比閃存更易集成。OUM存儲(chǔ)單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現(xiàn)有邏輯電路的集成也相當(dāng)簡單。用OUM單元制作的存儲(chǔ)器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設(shè)備中大容量存儲(chǔ)器的理想替代品。但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會(huì)出一些可靠性問題。
