相變化記憶體,相變化記憶體的分類(lèi),相變化記憶體參數(shù)指標(biāo)等
全球的相變化記憶體分為3大陣營(yíng)，包括恒憶(NumONyx)／英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、旺宏／IBM等，其中恒憶和旺宏都稱為PCM，三星的產(chǎn)品則稱為PRAM。
相變化記憶體最早發(fā)明人為S. R. Ovshinsky，於1966年代表美國(guó)公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美國(guó)專(zhuān)利中表示，在硫?qū)倩衔?Chalcogenide)中，結(jié)晶相與非晶相之間的光學(xué)性質(zhì)及導(dǎo)電度都有顯著的不同，而這兩項(xiàng)間可進(jìn)行快速、可逆且穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換，適合做開(kāi)關(guān)(switching)及記憶(memory)之用。
相變化記憶體需要新材料，也就是硫?qū)倩衔锛存N硒銻GST，在結(jié)晶態(tài)與非結(jié)晶態(tài)這兩種高、低不同的相變化(Phase Change)區(qū)分中來(lái)當(dāng)作0與1，進(jìn)而做為記憶體用途。與現(xiàn)有的記憶體NAND Flash和DRAM相比較，仍是各有優(yōu)缺點(diǎn)。
日前三星宣布將相變化記憶體用在智慧型手機(jī)用的MCP(Multi-Chip Package)晶片，目的是用來(lái)取代NOR Flash角色，目前推出512Mb產(chǎn)品，且計(jì)劃在年底前大量導(dǎo)入手機(jī)市場(chǎng)，而三星這樣的大動(dòng)作，也宣示相變化記憶體不再只是紙上談兵的下世代記憶體技術(shù)，是真正可以導(dǎo)入終端市場(chǎng)的技術(shù)。
再者，恒憶也宣布推出第2款新的相變化記憶體，并成立新的副品牌Omneo，主要是針對(duì)需要量身訂做的客戶來(lái)服務(wù)，應(yīng)用范圍包含有線及無(wú)線通訊、消費(fèi)電子產(chǎn)品、個(gè)人電腦(PC)和嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品等，也是積極將相變化記憶體導(dǎo)入市場(chǎng)的另一案例。
相變化記憶體的每一個(gè)存儲(chǔ)單元在被加熱時(shí)呈晶體狀表示1，反之則為非晶體表示0，只要施加很小的復(fù)位電流就可以實(shí)現(xiàn)這兩種狀態(tài)的切換。相比閃存，PRAM在寫(xiě)入新數(shù)據(jù)前不需要執(zhí)行擦除原數(shù)據(jù)的步驟，因此讀寫(xiě)速度是普通閃存的30倍，同時(shí)其擦寫(xiě)壽命也是閃存的10倍
PRAM最大優(yōu)點(diǎn)是高效能和低耗電
