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微影技術(shù)的可用技術(shù)準(zhǔn)則

• 　　1.微影技術(shù)所要求的光源，可以用可見光(Visible)、近紫外光 (Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光(Mid UV, MUV)、深紫外光(Deep UV, DUV)、真空紫外光(Vacuum UV, VUV)、極短紫外光(Extreme UV, EUV)、X-光(X-Ray)等光源對(duì)阻劑進(jìn)行照射；也可以用高能電子束(25 100 keV)，低能電子束( 100 eV)，鎵離子(Ga+)聚焦離子束(10 100 keV)對(duì)阻劑進(jìn)行照射。

  　　2.微影技術(shù)所要求的線幅寬度，隨著半導(dǎo)體積體電路之積體層次的快速增加，也越來越小。 制造64百萬位元(64 Megabit)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM) 的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則(Design Rules)最小線幅寬度約為0.35微米；256百萬位元約為 0.25微米；10億位元(1 Gigabit)約為0.18微米；40億位元(4 Gigabit)約為 0.15 0.13微米。