富士功率模塊,富士功率模塊的分類,富士功率模塊參數(shù)指標(biāo)等
圖1、圖2 中顯示了具有代表性的IGBT 模塊構(gòu)造。
圖1 中表示的端子臺(tái)一體構(gòu)造模塊，是通過采用外殼與外部電極端子的一體成型構(gòu)造，達(dá)到減少部件數(shù)量和減低內(nèi)部配線電感的目的。
另外，通過采用DCB（Direct CopperBonding）基板，得到低熱阻和高抗折強(qiáng)度的高可靠性產(chǎn)品。
圖2 表示的引線端子連接構(gòu)造模塊，并不是通過錫焊使主端子與DCB 基板相連的，而是采用引線連接的構(gòu)造。由此達(dá)到封裝構(gòu)造的簡易化、小型化、超薄化、輕量化和削減組裝工數(shù)的目的。
此外，關(guān)于通過 IGBT 和FWD 芯片的最合理化配置有效地實(shí)現(xiàn)熱分散，以及通過均等配置上下支路的IGBT 元件使開通時(shí)的過渡電流平衡均等，從而不增加開通時(shí)的損耗等，已經(jīng)在產(chǎn)品中得以實(shí)現(xiàn)。
1、1 in 1
例: 1MBI600S-120
產(chǎn)品中分別內(nèi)置有1 個(gè)IGBT 和1 個(gè)FWD。作為具有電流額定量大的產(chǎn)品，經(jīng)常通過并列連接后用于更大容量的區(qū)域。
2、2 in 1
例: 2MBI450UE-120
