一切很美只為生活——2007年電子新技術(shù)展望
科技改變著生活,生活是科技發(fā)展的原動(dòng)力,正是人們對(duì)美好生活的向往推動(dòng)著科技不斷向前演進(jìn)。在一切為了生活更美好的感召下,電子技術(shù)正不斷滿足著人們“越來越苛刻”的要求。
綠色的誘惑
如果要人們選擇最喜歡的顏色,最受歡迎的應(yīng)該是綠色。當(dāng)?shù)厍蛏暇G色越來越少的時(shí)候,人們?cè)桨l(fā)展現(xiàn)出自己對(duì)綠色的渴望。對(duì)于已經(jīng)逝去的2006來說,RoHS無疑是電子領(lǐng)域最為關(guān)注的詞匯,而對(duì)綠色電子的呼喚將從2007年開始一直延續(xù)下去……
電子垃圾的泛濫是RoHS誕生的誘因,該規(guī)程主要是在電子制造過程中禁止使用鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴聯(lián)苯醚,其中無鉛焊接和無鉛封裝對(duì)整個(gè)電子制造傳統(tǒng)工藝提出新的挑戰(zhàn)。這不僅僅是焊錫一個(gè)環(huán)節(jié)的問題,從焊接材料開始,制造流程、各種焊接工藝、線路板裝配、封裝材料、封裝工藝甚至助焊劑......,整個(gè)制造業(yè)都面臨著一場(chǎng)新的技術(shù)革命。而革命的開始不僅僅是在全球綠色電子的呼聲下展開,更為重要的是全球電子產(chǎn)品的成本在不斷下降,不變革意味著滅亡,變革意味著抽筋剝皮,電子制造業(yè)斷臂求存的選擇加劇了對(duì)新材料的渴求,而即將到來的2007注定是焊接工藝革命的**。
熔點(diǎn)低與可靠性高,是對(duì)新材料的主要要求,而不斷縮小的封裝尺寸加劇了實(shí)現(xiàn)要求的難度。目前,SnAgCu合金是比較主要的替代品,但在熔點(diǎn)和可靠性上與傳統(tǒng)的鉛焊錫還有一定差距,Sn-3Ag-0.5Cu的可靠性高但熔點(diǎn)與焊接成本和對(duì)電路板的影響都比較大,Sn-4Ag-0.5Cu等新配比雖然在某些方面可以降低指標(biāo)但可靠性有所欠缺。在新的一年中,焊接材料必然會(huì)找到更合理的配比從而達(dá)到或者接近有鉛焊錫的標(biāo)準(zhǔn),這已經(jīng)是整個(gè)產(chǎn)業(yè)翹首以盼的突破。與此同時(shí),新的焊接工藝層出不窮。采用無鉛生產(chǎn)流程轉(zhuǎn)換已經(jīng)成為必然,舊有的設(shè)備因?yàn)殂U的長(zhǎng)期沉積將面臨淘汰,新的焊接流程與工藝,如波峰焊接、再流焊和氮?dú)廨o助焊,都成為技術(shù)發(fā)展新的熱點(diǎn)。
綠色的生活永遠(yuǎn)是人們的追求,不僅僅是焊接,在封裝材料方面人們同樣向往著綠色。對(duì)于中國(guó)企業(yè)來說,這不僅僅是場(chǎng)技術(shù)革命,更是一個(gè)新的發(fā)展契機(jī),只有把握技術(shù)發(fā)展的脈搏才能尋找到更廣闊的天空。
愛上層樓
65納米已經(jīng)不再熱門,45納米才是重點(diǎn)。當(dāng)65納米工藝已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)之后,整個(gè)制造業(yè)已經(jīng)將目光投向更小的領(lǐng)域。2007我們也許該跟深亞微米時(shí)代干杯,去擁抱嶄新的納米時(shí)代。
圖 用于45nm工藝測(cè)試的300mm晶圓
進(jìn)入納米時(shí)代,光學(xué)微影技術(shù)無疑成為硅晶制造的瓶頸。具體到45納米,為了制造更細(xì)微的芯片,必須要降低光學(xué)微影技術(shù)曝光波長(zhǎng)、提高數(shù)值孔徑和微影解析度。為了達(dá)到這一要求,降低制造過程微細(xì)化電路間的靜態(tài)功耗特別是漏電流,解決RC電路時(shí)延問題,防止介質(zhì)機(jī)械強(qiáng)度下滑等問題變得現(xiàn)實(shí)起來。同時(shí),還需要繼續(xù)面對(duì)增加硅晶體密度、降低電路占用面積、提升工作頻率并降低功耗等老生常談的問題。目前,各大廠商開始導(dǎo)入浸潤(rùn)式微影技術(shù),而臺(tái)積電更是提出了濕浸式微影技術(shù),甚至具備了沖擊32納米的制造實(shí)力。與此同時(shí),非可見光的超紫外光微影技術(shù)已經(jīng)提上日程,只有13.5納米的光波長(zhǎng)已經(jīng)足以應(yīng)付32納米制造。45納米來了,32納米還會(huì)遠(yuǎn)嗎？
當(dāng)然,2007年的主流還是65納米工藝,不過Intel已經(jīng)宣布將在2007年量產(chǎn)45納米產(chǎn)品,65納米還在成長(zhǎng)階段就已經(jīng)感受到挑戰(zhàn)的壓力,而這是摩爾幾十年前就預(yù)言了的命運(yùn)。
封裝尺寸在減小,架構(gòu)層次卻在增加。如果說SoC是平鋪型發(fā)展,SiP則如同黃金地段的摩天大樓一般,芯片結(jié)構(gòu)在不斷堆疊。
