NANDFlash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用
1 NANDFlash和NOR Flash
閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手機(jī)、MP3、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦等數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中。NAND Flash和NOR Flash是目前市場上兩種主要的非易失閃存芯片。與NOR F1ash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用壽命等方面的優(yōu)勢使其成為高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。NOR Flash的傳輸效率很高，但寫入和擦除速度較低；而NAND Flash以容量大、寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，在非易失性類存儲設(shè)備中顯現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場競爭力。
結(jié)構(gòu)：NOR Flash為并行，NAND Flash為串行。
總線：NOR Flash為分離的地址線和數(shù)據(jù)線，而NANDFlash為復(fù)用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸為NOR Flash尺寸的1／8。壞塊：NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。
位交換：NAND Flash中發(fā)生的次數(shù)要比NOR Flash多，建議使用NAND閃存時(shí)，同時(shí)使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP，eXecute In Place)，應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中；而NAND Flash則需I／O接口，因此使用時(shí)需要寫入驅(qū)動程序。
通過以上的分析和比較，NAND Flash更適合于大容量數(shù)據(jù)存儲的嵌入式系統(tǒng)。本設(shè)計(jì)選用Samsung公司生產(chǎn)的NAND Flash存儲器芯片K9F1208作為存儲介質(zhì)，并應(yīng)用在基于uPSD3234A增強(qiáng)型8051單片機(jī)的嵌入式系統(tǒng)中。
2 uPSD3234A簡介
uPSD3234A是由意法半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款基于8052內(nèi)核的增強(qiáng)型Flash單片機(jī)，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。該單片機(jī)包含1個帶8032微控制器的Flash PSD、2塊Flash存儲器、SRAM、通用I／O口可編程邏輯、管理監(jiān)控功能，并可實(shí)現(xiàn)USB、I2C、ADC、DAC和PWM功能。其中，片內(nèi)8032微控制器，帶有2個標(biāo)準(zhǔn)異步通信口、3個16位定時(shí)／計(jì)數(shù)器、1個外部中斷以及JTAG ISP接口(用于在系統(tǒng)編程)，一般應(yīng)用于手持設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域中。
3 K9F1208介紹
K9Fl208是Samsumg公司生產(chǎn)的512Mb(64M×8位)NAND Flash存儲器。該存儲器的工作電壓為2．7～3．6V，內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)為528字節(jié)×32頁×4096塊，頁大小為528字節(jié)，塊大小為(16KB+512字節(jié))；可實(shí)現(xiàn)程序自動擦寫、頁程序、塊擦除、智能的讀／寫和擦除操作，一次可以讀／寫或者擦除4頁或者塊的內(nèi)容，內(nèi)部有命令寄存器。如圖2所示，該器件按功能可以劃分為：存儲陣列、輸入／輸出緩沖、命令寄存器、地址譯碼寄存器和控制邏輯產(chǎn)生。其中，命令寄存器用來確定外部設(shè)備對存儲器進(jìn)行操作的類型；地址譯碼寄存器用于保存被訪問的地址并產(chǎn)生相應(yīng)的譯碼選通信號。主設(shè)備通過8
