SurfaceTechnologySystems(STS)公司日前宣布,將開發(fā)一種新的深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)電漿源,該系統(tǒng)將與大量制造IC時所使用的12英寸晶圓有高度兼容性。DRIE加工法是由德商RobertBoschGmbH所發(fā)明、STS所開發(fā)的一項重要硅基微細加工技術(shù),該加工法在MEMS的制造過程中已有長達十年的歷史。隨著電路的越漸復(fù)雜及裝置速度的提升,產(chǎn)業(yè)需求逐漸傾向于將細薄的芯片采用堆棧方式,而非將所有的功能組件都整合于一顆平面的系統(tǒng)單芯片(SoC)中。當堆
Surface Technology Systems(
STS)公司日前宣布,將開發(fā)一種新的深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)電漿源,該系統(tǒng)將與大量制造
IC時所使用的
12英寸晶圓有高度兼容性。
DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所發(fā)明、STS所開發(fā)的一項重要硅基微細加工技術(shù),該加工法在MEMS的制造過程中已有長達十年的歷史。隨著電路的越漸復(fù)雜及裝置速度的提升,產(chǎn)業(yè)需求逐漸傾向于將細薄的芯片采用堆棧方式,而非將所有的功能組件都整合于一顆平面的系統(tǒng)單芯片(
SoC)中。
當堆棧芯片的數(shù)量逐漸增加以及輸出入(I/O)數(shù)增加時,焊線法就變得越來越復(fù)雜以及昂貴,而層間互連法則在這方面有
其它優(yōu)勢,包括減少所需的芯片面積、縮短互連距離,且可以將導孔放置于芯片內(nèi)而非芯片邊緣。
隨著
2005年P(guān)egasus DRIE來源的推出,STS便比其它傳統(tǒng)的DRIE系統(tǒng)明顯地展示了更高的芯片蝕刻率,使層間互連法更加地吸引IC制造商,也為
300mm平臺帶來了同等處理能力的需求。
STS技術(shù)長Leslie Lea解釋道：“當MEMS業(yè)界的客戶還仍舊專注于
150mm或200mm的芯片加工時,大多數(shù)的主流半導體制造商早已為了降低芯片成本而轉(zhuǎn)移到300mm的芯片使用上。因此,為滿足這些客戶的需求我們決定開發(fā)新的蝕刻工具。我們期待STS將為那些使用300mm芯片的客戶提供先進的解決方案�！�
