場效應三極管介紹
金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓VG增大時， p 型半導體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間形成導電溝道。當 VDS≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當 VGS>VT并取不同數(shù)值時，反型層的導電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS, 實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。
場效應管（FET）是利用電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被廣泛應用。
FET和雙極型三極管相類似，電極對應關系是b®G、e®S、c®D；由FET組成的放大電路也和三極管放大電路相類似，三極管放大電路基極回路需要一個偏置電流(偏流)，而FET放大電路的場效應管柵極沒有電流，F(xiàn)ET放大電路的柵極回路需要一個合適的偏置電壓(偏壓)。
FET組成的放大電路和三極管放大電路的主要區(qū)別在于：場效應管是電壓控制型器件，靠柵源之間的電壓變化來控制漏極電流的變化，放大作用以跨導gm來體現(xiàn)；三極管是電流控制型器件，靠基極電流的變化來控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數(shù)β來體現(xiàn)。
場效應管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時，可與雙極型三極管的共射、共集、共基對照，體會二者間的相似與區(qū)別之處。
