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       據(jù)悉,日前英特爾和美光向市場聯(lián)合推出了8GB閃存芯片,這些芯片是在這兩家公司的的合資公司IM Flash Technologies(IMFT)制造的。

       據(jù)知情人士表示,英特爾和美光此次推出的這款8GB閃存芯片采用了90納米制造工藝,每個芯片由四個單一的2GB芯片堆疊組成,使得總儲存容量達(dá)到8GB。但該人士表示目前尚不能夠詳細(xì)說明英特爾和美光推出多級單元(MLC)或單級單元(SLC)的8GB閃存芯片的時間表。又有其他消息稱,英特爾今年下半年開發(fā)出多級單元8GB閃存芯片的樣品,預(yù)計(jì)于明年中期實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的量產(chǎn)。

       IM Flash Technologies公司今年1月份剛剛成立,雖然目前該合資工廠中的制造工藝稍落后于競爭對手,但它們的產(chǎn)品仍然收到了客戶滿意的反饋。該公司最近剛推出他們50納米4GB單級單元閃存芯片。

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