晶圓清洗的挑戰(zhàn)——《半導(dǎo)體國際》第三屆晶圓清洗技術(shù)研討會
2006年8月10日,上海龍東商務(wù)酒店,由《半導(dǎo)體國際》主辦的第三屆晶圓清洗技術(shù)研討會在此圓滿結(jié)束,與會者包括國際知名設(shè)備材料供應(yīng)商和中國本土主要晶圓制造商的專家、經(jīng)理人和工程師,通過對研發(fā)過程和實際生產(chǎn)中晶圓表面處理方案的分析,共同探討了現(xiàn)金主流清洗技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展方向……
精彩花絮
表面預(yù)處理技術(shù)的藍(lán)圖及挑戰(zhàn)
ITRS ,FSIInternational Jeffery W. Butterbaugh
■ 過去,表面預(yù)處理受到污染物移除的限制;今天在不斷創(chuàng)新以縮放比例的制造環(huán)境中,表面預(yù)處理在器件結(jié)構(gòu)和性能上扮演更為重要的角色。
■ 濕法處理的要求：更高的選擇比、刻蝕均勻性和刻蝕精度。
■ 結(jié)技術(shù)發(fā)展需要新的濕法刻蝕化學(xué)試劑
■ 結(jié)合新材料和新結(jié)構(gòu)來達(dá)到芯片尺寸等比縮小,集成這些新材料和新結(jié)構(gòu)需要先進(jìn)的濕法處理技術(shù)和表面預(yù)處理能力。
■ 全濕法、無灰化的光阻去除技術(shù)對于IC制造商降低工廠資本成本和縮短產(chǎn)品成熟周期有明顯的作用。
■ 減少材料損失和表面破壞是無灰化光阻去除技術(shù)的動機(jī)。
■ 通過在一批濺射工具中創(chuàng)造更高溫度的Piranha工藝獲得高的植入光阻（>1x1016 ions/cm2PLAD）去除。
■ 采用全濕法、無灰化光阻去除技術(shù),成本效益得到實施,層循環(huán)時間縮短至少3%。
■ WSix廣泛應(yīng)用于VLSI制造,主要用來降低gate poly與金屬線間的電阻。 WSix和gate poly的連接很重要。WSix淀積預(yù)清洗工藝在改善質(zhì)量方面扮演了極重要的角色。
■ 利用SEM查看典型缺陷,WSix和gate poly界面處有極小微粒,尺寸<0.1um,在WSix淀積前極難被檢測出來。
■ VHF清洗能增強(qiáng)H3PO4結(jié)晶的成形,且不會被去除;通過預(yù)清洗,成品率得到改善。
■ ITRS公布半導(dǎo)體發(fā)展趨勢,邏輯器件、存儲器件的發(fā)展對材料提出了新的要求。
■ 器件結(jié)構(gòu)幾何尺寸的收縮要求更嚴(yán)密的CD尺寸控制。
■ 成功的抗蝕劑和刻蝕殘渣去除機(jī)必須滿足大批量IC制造環(huán)境中可接受的3個條件:(1)與靈敏低K介質(zhì)材料的兼容性;(2)去除抗蝕劑和刻蝕殘渣;(3)與基質(zhì)金屬包括銅、鈷、鎢等金屬的兼容性。
■ 隨著CD尺寸的縮小和晶圓面積的增大,過濾面臨著進(jìn)退兩難的局面。
■ 區(qū)域薄膜過濾器對流量和粒子保持力的改善。
■ QuickChangeATM過濾器優(yōu)于ATX過濾器的地方。
