國際整流器公司（IR）近日推出IRAUDAMP3D類音頻參考設(shè)計(jì)。這款全新的小型參考設(shè)計(jì)采用IRS20124S高壓模擬IC及IRF6645DirectFET®功率MOSFET,可實(shí)現(xiàn)無散熱器的120W六通道半橋D類音頻功率放大器。IR公司節(jié)能產(chǎn)品部副總裁譚仲能先生指出：“通過采用業(yè)界領(lǐng)先的功率MOSFETS對我們的D類音頻高壓集成電路進(jìn)行優(yōu)化,IRAUDAMP3能夠?yàn)槲覀兊目蛻籼峁╋@著的性能和尺寸方面的優(yōu)勢�！奔闪薎RS20124S高壓集成電路的參考設(shè)計(jì)具有內(nèi)部可選死區(qū)
國際
整流器公司（
IR）近日推出IRAUDAMP3 D類音頻參考設(shè)計(jì)。這款全新的小型參考設(shè)計(jì)采用IRS20124S高壓模擬
IC及
IRF6645 DirectFET &
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功率MOSFET,可實(shí)現(xiàn)無
散熱器的
120W 六通道半橋D類音頻功率放大器。
IR公司節(jié)能產(chǎn)品部副總裁譚仲能先生指出：“通過采用業(yè)界領(lǐng)先的功率MOSFETS對我們的D類音頻高壓集成電路進(jìn)行優(yōu)化,IRAUDAMP3能夠?yàn)槲覀兊目蛻籼峁╋@著的性能和尺寸方面的優(yōu)勢�！�
集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設(shè)計(jì)具有內(nèi)部可選死區(qū)時(shí)間發(fā)生電路,可以防止噪聲和
電源電壓波動,有助于在60W、4Ω的情況下實(shí)現(xiàn)0.01%的總諧波失真（
THD）,而在120W、4Ω單通道可實(shí)現(xiàn)94%的效率。此外,該集成電路還內(nèi)置了雙電流感測和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)
揚(yáng)聲器引線短路等過流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。
IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸,也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過降低引線
電感提高了
開關(guān)性能,并降低了
EMI噪聲,從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實(shí)現(xiàn)4Ω阻抗下的120W運(yùn)行,而無需使用散熱器,這樣不僅縮小了電路尺寸,還為設(shè)計(jì)師作電路布局提供了更大的靈活性,降低了放大器系統(tǒng)的總體成本。
