IR推出封裝更小的DC-DC降壓式DirectFET轉(zhuǎn)換器(圖)
IR中國銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“全新的DirectFET芯片組是設(shè)計人員所需應(yīng)用于中功率水平之細小,快捷開關(guān),及15至18安培功率轉(zhuǎn)換器的最佳選擇。它們不僅能在5至8安培應(yīng)用上提高超過百分之一的效率,還比采用3顆SO-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積�！�
該芯片組的每個器件都是為了使同步DC－DC降壓式轉(zhuǎn)換器電路實現(xiàn)最佳性能而設(shè)計的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低開關(guān)損耗,而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能減少傳導(dǎo)損耗及反向恢復(fù)電荷。
IRF6631控制FET的柵極電荷為12nC,電阻柵極電荷（99.6 mohmsnC）優(yōu)值系數(shù)比先前的產(chǎn)品減少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V時可提供3.0mohms的典型導(dǎo)通電阻,在保持同一柵極電荷時,比現(xiàn)有的器件減少了12%。
IR獲得專利的DirectFET MOSFET封裝體現(xiàn)了以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝沒有具備的一系列設(shè)計優(yōu)點。金屬罐構(gòu)造可以實現(xiàn)雙面冷卻,使先進微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升了一倍。此外,采用DirectFET封裝的器件均符合有害物質(zhì)限制（RoHS）規(guī)定。
IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨,產(chǎn)品基本規(guī)格如下：
產(chǎn)品
編號 封裝 BVDSS
(V) 10V以下
最大RDS
(on)
(mΩ) 4.5V以下
最大RDS
(on)
(mΩ) VGS
(V) 在25℃
的ID
(A) 典型
QG
(nC) 典型
QGD
(nC) IRF6638 DirectFET
Small Can 30 2.9 3.9 20 140 30 11 IRF6631 DirectFET
Medium Can 30 7.8 10.8 20 57 12 4.4
