ITO導(dǎo)電膜,ITO導(dǎo)電膜的特性，應(yīng)用，制備
金屬特性
金屬導(dǎo)電的原因：金屬鍵之鍵結(jié)力不強，電子受到外加電位即可自由運動，形成電子流。
金屬不透明的原因：光波被高密度之電子吸收與反射。
氧化物特性
氧化物絕緣的原因：氧化物為金屬與氧氣反應(yīng)形成共價鍵，鍵結(jié)中無自由電子，因此不導(dǎo)電。
氧化物透明的原因：原子鍵結(jié)的空隙中無自由電子，故光波可穿透氧化物結(jié)構(gòu)。
透明導(dǎo)電氧化物
氧化物結(jié)構(gòu)中含有氧原子之缺陷，使自由電子可在這些缺陷中運動，因此可以導(dǎo)電，但由於自由電子之密度不高，因此導(dǎo)電率不如金屬。
由於自由電子之密度不高，因此可以透光，但透光率不如致密氧化物。
透光率與導(dǎo)電率之關(guān)系
ITO薄膜在可見光之范圍內(nèi)，鍍膜之透光率與導(dǎo)電鍍率約成反比之關(guān)系；例如，當鍍膜面電阻率在10Ω/sq以下時，可見光透光率可達80%,但若透光率欲達到90%以上，則面電阻必須提高至100Ω/sq以上。
用直流反應(yīng)磁控濺射法在無機玻璃上鍍制 ITO 膜。濺射時基片不加熱 , 濺射后進行空氣退火和真空退火。采用由J S - 450 型改造而成的濺射設(shè)備 , 濺射室內(nèi)水平安裝直徑為300mm的圓形平面磁控濺射靶陰極 （在上方） 和放置基片的可旋轉(zhuǎn)試樣臺 （在下方） .靶陰極與 d1c高壓電源的負極相聯(lián) , 試樣臺與正極相聯(lián)并接地。In - Sn 合金靶由高純 In（991999 %In） 和高純 Sn （991999 %Sn） 制成 , 成分為 92 %In （wt ） + 8 %Sn （wt ） , 靶片直徑 280mm.由于制備的試樣尺寸較小 , 通過屏蔽的方法只允許直徑 170mm 的靶面工作。
