當(dāng)輸入電壓(VDD)高于檢測(cè)電壓(-VDET)時(shí),輸入電壓等于輸出電壓(VOUT),N溝道漏極開(kāi)路MOSFET關(guān)斷。如圖3(a)所示。
當(dāng)輸入電壓(VDD)低于檢測(cè)電壓(-VMIN)時(shí),輸出電壓(VOUT)等于VSS。
當(dāng)輸入電壓(VDD)下降到最低工作電壓(VMIN)時(shí),輸出電壓不確定。
輸入電壓從地電位(VSS)上升時(shí),當(dāng)VDD低于最低工作電壓(VMIN)時(shí),輸出電壓不確定。當(dāng)VDD超過(guò)VMIN時(shí),輸出電壓將維持在電位(VSS)。當(dāng)輸入電壓上升到釋放電壓(+VDET)后,輸出電壓等于輸入電壓。
釋放電壓(+VDET)和檢測(cè)電壓(-VDET)之間的電壓差為滯后電壓。
當(dāng)輸入電壓(VDD)從地電位上升時(shí),延時(shí)電路將產(chǎn)生一定的延遲時(shí)間tDLY。輸入電壓(VDD)超過(guò)釋放電壓(+VDET)后,要經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間tDLY,輸出電壓才等于輸入電壓,如圖3(b)表示。
1. 低功耗
2. 低溫漂
3. 內(nèi)置高性能參考電壓源
4. 內(nèi)置回差特性
1、電池檢測(cè)
2、自定義電平選擇
3、電源失效檢測(cè)
4、微處理器復(fù)位
5、電池記憶備份
6、信號(hào)存儲(chǔ)保護(hù)