功率場效應(yīng)管,功率場效應(yīng)管的分類,功率場效應(yīng)管參數(shù)指標(biāo)等
功率場效應(yīng)管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點：
1．場效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路較簡單；
2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；
3．工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗小；
4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且場效應(yīng)管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；
5．功率場效應(yīng)管(MOSFET)可以多個并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
（1） 漏極擊穿電壓 BUD 是不使器件擊穿 漏 漏極擊穿電壓 BUD 的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。BUD 隨結(jié)溫的升高而升高，這點正好與 GTR 和 GTO 相反。
�。�2） 漏極額定電壓 UD UD 是器件的標(biāo)稱額定值。
�。�3） UT 漏極電流 ID 和 IDM ID 是漏極直流電流的額定參數(shù)；IDM 是漏極脈沖電流幅值。
（4） 柵極開啟電壓 UT 又稱閥值電壓，是開通 Power MOSFET 的柵-源電壓， 它為轉(zhuǎn)移特性的特性曲線與橫軸的交點。施加的柵源電壓不能太大，否則將擊穿器件。
（5） 跨導(dǎo) gm gm 是表征 Power MOSFET 柵極控制能力的參數(shù)。
