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混頻二極管,混頻二極管的原理,電特性,典型應(yīng)用
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混頻二極管,混頻二極管的原理,電特性,典型應(yīng)用  2011/10/3

目錄

  • 混頻二極管的原理
  • 混頻二極管的電特性
  • 混頻二極管的典型應(yīng)用
混頻二極管

混頻二極管的原理

  •   混頻二極管是利用金屬和N型半導(dǎo)體相接觸所形成的金屬半導(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體相接觸時,它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘,即表面勢壘。為了使半導(dǎo)體中的載流子容易地越過勢壘進(jìn)入金屬,它必須采用電子逸出功(電子跑出半導(dǎo)體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半導(dǎo)體。當(dāng)二極管加上正向偏壓時,勢壘下降,多數(shù)載流子(電子)便從半導(dǎo)體進(jìn)入金屬。

混頻二極管的電特性

  •   1、正向特性

      這里以日立公司的1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由圖1所示,當(dāng)正向電流IF為1mA時,1SS86的正向壓降VF≤0.2V,1SS87的VF≤0.45V;當(dāng)IF為10mA時,1SS86的VF=0.4V,1SS87的VF=0.6V。另外,從表1中可知,國外混頻二極管的正向特性越做越好,主要表現(xiàn)在正向特性的一致性更好,有類似于變?nèi)莨艿呐鋵μ匦�,如在IF=10mA下,1SS165的VF=520mV~600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別為520mV~600mV±10mV和500mV~580mV±10mV,表明VF的偏差只有5mV~10mV。

      2、反向特性

      它們的反向特性由圖2所示�;祛l二極管的反向漏電流較小,如在VR=2V下,1SS86的IR為20μA,1SS87的IR為1μA;在VR=4V下,1SS86的IR為70μA,1SS87的IR為4μA,表明1SS87的反向特性比1SS86好�;祛l器要求混頻二極管的反向漏電流小,這樣,混頻器的噪聲系數(shù)也小。

      3、結(jié)電容

      它們的結(jié)電容與反向電壓的關(guān)系由圖3所示。當(dāng)VR=0V時,1SS86/1SS87的結(jié)電容C都小于0.85pF;在VR=1V時,它們的電容C都小于0.7pF。由于混頻二極管的結(jié)電容較小,所以混頻器的頻率較高。另外,從表1可知,國外混頻二極管的結(jié)電容的偏差也越來越小,如在VR=0V時,1SS88/1SS165/1SS166的電容偏差ΔC均為±0.05pF;HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均為±0.1pF。

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