1、正向特性
這里以日立公司的1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由圖1所示,當(dāng)正向電流IF為1mA時,1SS86的正向壓降VF≤0.2V,1SS87的VF≤0.45V;當(dāng)IF為10mA時,1SS86的VF=0.4V,1SS87的VF=0.6V。另外,從表1中可知,國外混頻二極管的正向特性越做越好,主要表現(xiàn)在正向特性的一致性更好,有類似于變?nèi)莨艿呐鋵μ匦�,如在IF=10mA下,1SS165的VF=520mV~600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別為520mV~600mV±10mV和500mV~580mV±10mV,表明VF的偏差只有5mV~10mV。
2、反向特性
它們的反向特性由圖2所示�;祛l二極管的反向漏電流較小,如在VR=2V下,1SS86的IR為20μA,1SS87的IR為1μA;在VR=4V下,1SS86的IR為70μA,1SS87的IR為4μA,表明1SS87的反向特性比1SS86好�;祛l器要求混頻二極管的反向漏電流小,這樣,混頻器的噪聲系數(shù)也小。
3、結(jié)電容
它們的結(jié)電容與反向電壓的關(guān)系由圖3所示。當(dāng)VR=0V時,1SS86/1SS87的結(jié)電容C都小于0.85pF;在VR=1V時,它們的電容C都小于0.7pF。由于混頻二極管的結(jié)電容較小,所以混頻器的頻率較高。另外,從表1可知,國外混頻二極管的結(jié)電容的偏差也越來越小,如在VR=0V時,1SS88/1SS165/1SS166的電容偏差ΔC均為±0.05pF;HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均為±0.1pF。