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MCM封裝,MCM封裝的分類,優(yōu)勢(shì),優(yōu)點(diǎn),測(cè)試,市場(chǎng)
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MCM封裝,MCM封裝的分類,優(yōu)勢(shì),優(yōu)點(diǎn),測(cè)試,市場(chǎng)  2011/10/3

目錄

  • MCM封裝的分類
  • MCM封裝的優(yōu)勢(shì)
  • MCM封裝的優(yōu)點(diǎn)
  • MCM封裝的測(cè)試
  • MCM封裝的市場(chǎng)
MCM封裝

MCM封裝的分類

  •   MCM可分為三種基本類型:

      MCM-L是采用片狀多層基板的MCM。MCM-L技術(shù)本來是高端有高密度封裝要求的PCB技術(shù),適用于采用鍵合和FC工藝的MCM。MCM-L不適用有長(zhǎng)期可靠性要求和使用環(huán)境溫差大的場(chǎng)合。

      MCM-C是采用多層陶瓷基板的MCM。陶瓷基板的結(jié)構(gòu)如2圖所示。從模擬電路、數(shù)字電路、混合電路到微波器件,MCM-C適用于所有的應(yīng)用。多層陶瓷基板中低溫共燒陶瓷基板使用最多,其布線的線寬和布線節(jié)距從254微米直到75微米。

      MCM-D是采用薄膜技術(shù)的MCM。MCM-D的基板由淀積的多層介質(zhì)、金屬層和基材組成。MCM-D的基材可以是硅、鋁、氧化鋁陶瓷或氮化鋁。典型的線寬25微米,線中心距50微米。層間通道在10到50微米之間。低介電常數(shù)材料二氧化硅、聚酰亞胺或BCB常用作介質(zhì)來分隔金屬層,介質(zhì)層要求薄,金屬互連要求細(xì)小但仍要求適當(dāng)?shù)幕ミB阻抗。圖3是用硅做基材的MCM-D基板的剖面結(jié)構(gòu)。如果選用硅做基板,在基板上可添加薄膜電阻和電容,甚至可以將存儲(chǔ)器和模塊:的保護(hù)電路(ESD,EMC)等做到基板上去。

MCM封裝的優(yōu)勢(shì)

  •   1、尺寸

      在使用表面貼裝集成電路的PCB上,芯片面積約占PCB面積的15%。而在使用MCM的PCB上芯片面積占30-60%甚至更高。

      2、技術(shù)集成

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