絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)，工作原理，主要參數(shù)
圖1是N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。它是在一塊P型硅襯底上，擴(kuò)散兩個(gè)高濃度摻雜的N+區(qū)，在兩個(gè)N+區(qū)之間的硅表面上制作一層很薄的二氧化硅（SiO2）絕緣層，然后在SiO2和兩個(gè)N型區(qū)表面上分別引出三個(gè)電極，稱(chēng)為源極s、柵極g和漏極d。在其圖形符號(hào)中，箭頭表示漏極電流的實(shí)際方向。
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時(shí)，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時(shí)，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
圖2中襯底為P型半導(dǎo)體，在它的上面是一層SiO2薄膜、在SiO2薄膜上蓋一層金屬鋁，如果在金屬鋁層和半導(dǎo)體之間加電壓UGS，則金屬鋁與半導(dǎo)體之間產(chǎn)生一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)，在這一電場(chǎng)作用下，P型硅表面的多數(shù)載流子-空穴受到排斥，使硅片表面產(chǎn)生一層缺乏載流子的薄層。同時(shí)在電場(chǎng)作用下，P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子-電子被吸引到半導(dǎo)體的表面，并被空穴所俘獲而形成負(fù)離子，組成不可移動(dòng)的空間電荷層（稱(chēng)耗盡層又叫受主離子層）。UGS愈大，電場(chǎng)排斥硅表面層中的空穴愈多，則耗盡層愈寬，且UGS愈大，電場(chǎng)愈強(qiáng)；當(dāng)UGS 增大到某一柵源電壓值VT（叫臨界電壓或開(kāi)啟電壓）時(shí)，則電場(chǎng)在排斥半導(dǎo)體表面層的多數(shù)載流子-空穴形成耗盡層之后，就會(huì)吸引少數(shù)載流子-電子，繼而在表面層內(nèi)形成電子的積累，從而使原來(lái)為空穴占多數(shù)的P型半導(dǎo)體表面形成了N型薄層。由于與P型襯底的導(dǎo)電類(lèi)型相反，故稱(chēng)為反型層。在反型層下才是負(fù)離子組成的耗盡層。這一N型電子層，把原來(lái)被PN結(jié)高阻層隔開(kāi)的源區(qū)和漏區(qū)連接起來(lái)，形成導(dǎo)電溝道。
