HIT電池,HIT電池概述，優(yōu)點(diǎn)，工藝流程，挑戰(zhàn)
低溫制備：成本優(yōu)勢(shì)
發(fā)射極很�。旱臀�
寬帶隙發(fā)射極：低吸收，高Voc
高Voc：高轉(zhuǎn)換效率
低溫度系數(shù)（轉(zhuǎn)換效率對(duì)溫度不敏感）：在溫度高地區(qū)使用
高耐輻射性能：可應(yīng)用在宇宙空間中
1.硅片清洗制絨
2.正面用PECVD制 備本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制備 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜
4.在兩面用濺射法 沉積透明導(dǎo)電氧化 物薄膜
5.絲網(wǎng)印刷制備電 極
1 非晶硅太陽(yáng)電池的研究，現(xiàn)在主要著重于改善非晶 硅膜本身性質(zhì)，以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/cSi界面質(zhì)量，不斷降低缺陷態(tài)密度。
2 優(yōu)化光陷，降低反射率。
3 提高透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，透射率。
