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　　兩個(gè)MOS管的開啟電壓V_GS(th)P<0， V_GS(th)N >0，通常為了保證正常工作，要求V_DD>|V_GS(th)P|+V _GS(th)N。若輸入v_I為低電平(如0V)，則負(fù)載管導(dǎo)通，輸入管截止，輸出電壓接近V_DD。若輸入v_I為高電平(如V_DD)，則輸入管導(dǎo)通，負(fù)載管截止，輸出電壓接近0V。

　　綜上所述，當(dāng)v_I為低電平時(shí)v_o為高電平；v_I為高電平時(shí)v_o為低電平，電路實(shí)現(xiàn)了非邏輯運(yùn)算，是非門——反相器。

　�。保�電壓傳輸特性和電流傳輸特��

　　(1)CMOS反相器的電壓傳輸特性曲線可分為五個(gè)工作區(qū)。

　　工作區(qū)Ⅰ：由于輸入管截止，故vO=VDD，處于穩(wěn)定關(guān)態(tài)。

　　工作區(qū)Ⅲ：PMOS和NMOS均處于飽和狀態(tài)，特性曲線急劇變化，vI值等于閾值電壓Vth。

　　工作區(qū)Ⅴ：負(fù)載管截止，輸入管處于非飽和狀態(tài)，所以vO≈0V，處于穩(wěn)定的開態(tài)。

　　(2)CMOS反相器的電流傳輸特性曲線，只在工作區(qū)Ⅲ時(shí)，由于負(fù)載管和輸入管都處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的電流。其余情況下，電流都極小。

　�。玻�輸入特性和輸出特��

　�。常�電源特��

　　(1)  靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時(shí)，CMOS反相器工作在工作區(qū)Ⅰ和工作區(qū)Ⅴ，總有一個(gè)MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，流過的電流為極小的漏電流。

　　(2)  抗干擾能力較強(qiáng)。由于其閾值電平近似為0.5VDD，輸入信號(hào)變化時(shí)，過渡變化陡峭，所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等，且隨電源電壓升高，抗干擾能力增強(qiáng)。