電力半導(dǎo)體模塊,電力半導(dǎo)體模塊的的使用環(huán)境條件，使用注意事項(xiàng)，特點(diǎn)，發(fā)展趨勢
a) 使用環(huán)境應(yīng)無劇烈振動(dòng)和沖擊，環(huán)境介質(zhì)中應(yīng)無腐蝕金屬，破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛；
b) 模塊的工作溫度：晶閘管-40℃～+125℃，整流管-40℃～+150℃（均為結(jié)溫）環(huán)境相對濕度≤85%，海拔1000米以下；
c) 模塊采用強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)，風(fēng)速應(yīng)為6米/秒，環(huán)境溫度-40℃～+40℃，水冷模塊水流量不小于4×103ml/min，進(jìn)水溫度：-5℃～35℃；
1、 短路電流保護(hù)；
2、 阻容吸收回路作過壓保護(hù)；
3、門極觸發(fā)特性，應(yīng)滿足；
4、使用頻率；
5、 溫度保護(hù)；
1、體積小
2、外殼與電極絕緣
3、可靠性高
4、安裝方便
(1) 電力電子半導(dǎo)體模塊化：
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
自從模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來，已開發(fā)和生產(chǎn)出多種內(nèi)部電路相聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊，諸如雙向晶閘管、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶閘管(IGBT)等模塊，使得模塊技術(shù)得以更快的發(fā)展。
伴隨著MOS結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件研發(fā)成功，人們把器件芯片與控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路組合起來，密封裝在同一絕緣外殼內(nèi)稱之為智能化電力半導(dǎo)體模塊，即IPM。
為了提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性，以適應(yīng)電力電子技術(shù)向高頻化、小型化、模塊化方向發(fā)展。在IPM的基礎(chǔ)上，再增加一些逆變器的功能，使逆變電路(IC)的所有器件以芯片形式封裝在一個(gè)模塊中，便成為用戶專用電力模塊(ASPM)，這樣的模塊更有利于高頻化。
為了能使邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路IC與幾百伏、幾千伏的電力半導(dǎo)體器件相集成，以滿足電力事業(yè)的發(fā)展，人們采用混合封裝方法制造出能適應(yīng)于各種場合的集成電力電子模塊(IPEM)。
