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　　CCD圖像傳感器是按一定規(guī)律排列的MOS（金屬—氧化物—半導體）電容器組成的陣列,在P型或N型硅襯底上生長一層很薄（約120nm）的二氧化硅,再在二氧化硅薄層上依次序沉積金屬或摻雜多晶硅電極（柵極）,形成規(guī)則的MOS電容器陣列，再加上兩端的輸入及輸出二極管就構成了CCD芯片。