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晶體硅太陽能電池,晶體硅太陽能電池的基本原理,發(fā)展,分類,技術(shù)解析,發(fā)展趨勢(shì)
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晶體硅太陽能電池,晶體硅太陽能電池的基本原理,發(fā)展,分類,技術(shù)解析,發(fā)展趨勢(shì)  2011/10/3

目錄

  • 晶體硅太陽能電池的基本原理
  • 晶體硅太陽能電池的發(fā)展
  • 晶體硅太陽能電池的分類介紹
  • 晶體硅太陽能電池的技術(shù)解析
  • 晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢(shì)
晶體硅太陽能電池

晶體硅太陽能電池的基本原理

  •   晶體硅的發(fā)電過程:P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型 硅,形成P-N結(jié),當(dāng)光線照射到硅晶體的表面時(shí),一 部分光子被硅材料吸收,光子的能量傳遞給硅原子, 使電子發(fā)生躍遷,成為自由電子,在P-N結(jié)兩側(cè)聚 集,產(chǎn)生電位差。當(dāng)外部接通電路時(shí),在該電壓的作 用下,將有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。

晶體硅太陽能電池的發(fā)展

  •   體硅太陽能電池的發(fā)展可劃分為三個(gè)階段(如圖1所示),每一階段效率的提升都是因?yàn)樾录夹g(shù)的引入。

      圖1電池效率發(fā)展路程圖

      1954年貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開發(fā)出效率為6%的單晶硅太陽能電池到1960年為第一發(fā)展階段,導(dǎo)致效率提升的主要技術(shù)是硅材料的制備工藝日趨完善、硅材料的質(zhì)量不斷提高使得電池效率穩(wěn)步上升,這一期間電池效率在15%。1972年到1985年是第二個(gè)發(fā)展階段,背電場(chǎng)電池(BSF)[1]技術(shù)、“淺結(jié)”結(jié)構(gòu)[2]、絨面技術(shù)、密柵金屬化是這一階段的代表技術(shù),電池效率提高到17%,電池成本大幅度下降。1985年后是電池發(fā)展的第三階段,光伏科學(xué)家探索了各種各樣的電池新技術(shù)、金屬化材料和結(jié)構(gòu)來改進(jìn)電池性能提高其光電轉(zhuǎn)換效率:表面與體鈍化技術(shù)、Al/P吸雜技術(shù)、選擇性發(fā)射區(qū)技術(shù)、雙層減反射膜技術(shù)等。許多新結(jié)構(gòu)新技術(shù)的電池在此階段相繼出現(xiàn),如效率達(dá)24.4%鈍化發(fā)射極和背面點(diǎn)接觸(PERL)[3]電池。目前相當(dāng)多的技術(shù)、材料和設(shè)備正在逐漸突破實(shí)驗(yàn)室的限制而應(yīng)用到產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)當(dāng)中來。目前已經(jīng)有多家國(guó)內(nèi)外公司對(duì)外宣稱到2008年年底其大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率單晶將達(dá)到18%,多晶將超過17%。

晶體硅太陽能電池的分類介紹

  •   1 單晶硅太陽能電池

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