ITO薄膜,ITO薄膜的基本性能，生產(chǎn)工藝，應用
如圖1所示ITO(In203：SN02=9：1)的微觀結構，In，O，里摻人sn后，sn元素可以代替In，O，晶格中的In元素而以SnO，的形式存在，因為In20，中的In元素是三價，形成SnO，時將貢獻～個電子到導帶上，同時在一定的缺氧狀態(tài)下產(chǎn)生氧空穴，形成1020至1021cm。3的載流子濃度和10至30cm2／vs的遷移率。這個機理提供了在lO叫n．cp!l數(shù)量級的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導體的導電性能。
ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3．5-4．3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵起吸收閾值為3．75ev，相當于330nm的波長，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。同時近紅外區(qū)由于載流子的等離子體振動現(xiàn)象而產(chǎn)生反射，所以近紅外區(qū)ITO薄膜的光透過率也是很低的，但可見光區(qū)ITO薄膜的透過率非常好，由圖2可知。由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化學性能，ITO薄膜具有良好的導電性和可見光區(qū)較高的光透過率。
