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IGBT功率模塊,IGBT功率模塊的特點(diǎn)，應(yīng)用，注意事項(xiàng)，發(fā)展趨勢(shì)
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IGBT功率模塊,IGBT功率模塊的特點(diǎn)，應(yīng)用，注意事項(xiàng)，發(fā)展趨勢(shì)  2011/10/3

目錄

  • IGBT功率模塊的特點(diǎn)
  • IGBT功率模塊的應(yīng)用
  • IGBT功率模塊的注意事項(xiàng)
  • IGBT功率模塊的發(fā)展趨勢(shì)
IGBT功率模塊

IGBT功率模塊的特點(diǎn)

  • 　　IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20KHZ），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2V）的NPT-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、IR,摩托羅拉亦己在開發(fā)研制新品種。

IGBT功率模塊的應(yīng)用

  • 　　IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20KHZ,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例SCR.GTO,GTR,MOSFET,雙極型達(dá)林頓管等淚今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中，單個(gè)元件電壓可達(dá)4.OKV（PT結(jié)構(gòu)）一6.5KV（NPT結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。

IGBT功率模塊的注意事項(xiàng)

  • 　　A,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時(shí)將G極和E極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到G極管腳進(jìn)行永久性連接。

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