用于移動(dòng)通訊設(shè)施WJ通訊公司(納斯達(dá)克股票交易所代號(hào)WJCI)是從事射頻解決辦法主要設(shè)計(jì)公司和供應(yīng)商,它的產(chǎn)品用于無(wú)線設(shè)施(wirelessinfrastructure)和射頻識(shí)別(RFID)讀出技術(shù),今日宣布推出CV221-2A雙通道射頻轉(zhuǎn)換器(converter),該產(chǎn)品的偏移電流小,動(dòng)態(tài)范圍寬,用于無(wú)線基站和中繼站。CV221-2A適合目前的無(wú)線技術(shù)和下一代無(wú)線技術(shù)使用,例如要求線性度很高、偏置電流很小的GPRS、GSM、CDMA、W-CDMA以及Wi-Bro等技術(shù)�!拔覀兂�
用于移動(dòng)通訊設(shè)施
WJ通訊公司(納斯達(dá)克股票交易所代號(hào)WJCI)是從事射頻解決辦法主要設(shè)計(jì)公司和供應(yīng)商,它的產(chǎn)品用于無(wú)線設(shè)施(wireless infrastructure)和射頻識(shí)別(
RFID)讀出技術(shù),今日宣布推出CV221-2A雙通道射頻轉(zhuǎn)換器(converter),該產(chǎn)品的偏移
電流小,動(dòng)態(tài)范圍寬,用于無(wú)線基站和中繼站。CV221-2A適合目前的無(wú)線技術(shù)和下一代無(wú)線技術(shù)使用,例如要求線性度很高、偏置電流很小的GPRS、GSM、CDMA、W-CDMA以及Wi-Bro等技術(shù)。
“我們充分發(fā)揮本公司在多芯片組件技術(shù)方面的技術(shù)專長(zhǎng),把GaAs
FET和InGaP HBT器件集成在一起,形成雙通道轉(zhuǎn)換器,它使用很小的QFN封裝,便于客戶使用,與使用分立元件的辦法相比,成本可以降低
40 %,電路板的空間可以減少60 %,調(diào)諧元件減少
24 %�!� WJ通訊公司負(fù)責(zé)工程技術(shù)的副總裁Morteza Saidi說(shuō)道。“CV221-2A的線性度很高,偏置電流小,動(dòng)態(tài)范圍寬,使用符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的QFN封裝,因而我們的客戶可以迅速和經(jīng)濟(jì)地滿足無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的要求。”…
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
CV221-2A是線性度很好的雙通道轉(zhuǎn)換器(
dual channel converter),其中集成了LO放大器和IF放大器,它使用低成本的
SMT無(wú)鉛QFN封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),尺寸為6 × 5 mm。這種降頻轉(zhuǎn)換器的輸入IP3為+28
dBm,每個(gè)通道的總增益為9.2dB,
電源電壓為+5 V,偏置電流為315 mA,LO輸入
功率為0 dBm。這個(gè)器件工作的射頻頻率范圍從1900到2400 MHz,LO頻率范圍從1600到2335 MHz,IF頻率范圍從65到
300 MHz。
兩個(gè)通道之間的隔離程度為45 dB,端口之間的隔離程度從LO到RF為
12 dB,從LO到IF為26 dB。CV221-2A每個(gè)RF、IF和LO端口的VSWR優(yōu)于2:1。在溫度從-40到+85℃的范圍內(nèi)它的增益變化為+/- 0.6 dB。器件中集成了兩級(jí)LO放大器,在很寬的LO功率范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。每一通道和內(nèi)部的元件是相互隔離的,轉(zhuǎn)換器可以用于升頻轉(zhuǎn)換和降頻轉(zhuǎn)換。
CV221-2A是用WJ 通訊公司成熟的高可靠性GaAs FET 和InGaP HBT工藝制造的,它們是針對(duì)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的要求設(shè)計(jì)的。 CV221-2A 能夠在–40到+85℃的溫度范圍內(nèi)工作,在85℃時(shí)的 MTTF 超過(guò)1百萬(wàn)小時(shí)。它的ESD屬于1B類(根據(jù)JEDEC準(zhǔn)JESD22-A
114的HBM),按JEDEC 準(zhǔn)J-
STD-
020的要求,在
260℃時(shí)達(dá)到2
MSL級(jí)。