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TLC770X與TL770X的比較和替換
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TLC770X與TL770X的比較和替換  2012/3/1
TI公司的處理器監(jiān)控芯片TL770X系列在工業(yè)控制、儀器儀表等方面得到了廣泛的應(yīng)用。但是TL770X系列芯片采用的是雙極型工藝,因此功耗較大。為了滿足低功耗的要求,TI公司又推出了基于CMOS工藝的TLC770X系列處理器監(jiān)控芯片。雖然TLC770X與TL770X有很多相似之外,但是兩者并不能直接替換。本文在把兩者進(jìn)行比較的基礎(chǔ)上,給出了在電路中基于雙極型工藝的TL770X轉(zhuǎn)換為基于CMOS工藝的TLC770X應(yīng)做的幾點(diǎn)改進(jìn)方法。1TL770X與TLC770X的引腳差異
 

TI公司的處理器監(jiān)控芯片TL770X系列在工業(yè)控制、儀器儀表等方面得到了廣泛的應(yīng)用。但是TL770X系列芯片采用的是雙極型工藝,因此功耗較大。為了滿足低功耗的要求,TI公司又推出了基于CMOS工藝的TLC770X系列處理器監(jiān)控芯片。雖然TLC770X與TL770X有很多相似之外,但是兩者并不能直接替換。本文在把兩者進(jìn)行比較的基礎(chǔ)上,給出了在電路中基于雙極型工藝的TL770X轉(zhuǎn)換為基于CMOS工藝的TLC770X應(yīng)做的幾點(diǎn)改進(jìn)方法。

1 TL770X與TLC770X的引腳差異

有關(guān)TL770X和TLC770X的資料可以參考TI公司的產(chǎn)品手冊(cè),本文重點(diǎn)討論兩者的不同之處。從圖1可看出,TLC770X和TL770X在引腳上的差異體現(xiàn)在第1個(gè)引腳。

TL770X的引腳1是其內(nèi)部參考電壓的輸入端,實(shí)際應(yīng)用中一般一個(gè)0.1μF的電容以減小電源電壓瞬變的影響,而對(duì)TLC770X來(lái)說,其內(nèi)部無(wú)需電壓參考。圖2和圖3分別為TLC770X和TL770X的內(nèi)部框圖,所以TLC770X的引腳被賦予另外的功能。它可以作為靜態(tài)RAM(Static RAM)的控制信號(hào),當(dāng)其懸空時(shí)(該引腳內(nèi)部下拉),RESET的輸出是高電平,圖4是TLC77X的一個(gè)實(shí)際應(yīng)用電路,該電路在掉電期間,處理器TMS370的存儲(chǔ)塊片選信號(hào)(CSH1)輸出低電平,TLC770X的引腳1接收到這個(gè)信號(hào)后將使RESET引腳的輸出電平置為高,而RESET是連接外部存儲(chǔ)器片選端的,這就使得外部存儲(chǔ)器在掉電期間可以自動(dòng)關(guān)閉。

2 時(shí)間

由于TLC770X和TL770X內(nèi)部的電流源有差異,因此,兩者的延遲時(shí)間是不同的。下面的式子是上述兩種系列器件的延遲時(shí)間:

TL770XA的延遲時(shí)間td=1.3×10 -4CT

TL770XB的延遲時(shí)間td=2.6×10 -4CT

TL770X的延遲時(shí)間td=2.1×10 -4CT

式中,CT是CT腳上的外接電容值,單位是F。

3 復(fù)位端是否外接電阻

對(duì)于雙極性TL770X來(lái)說,它的復(fù)位引腳應(yīng)接上(下)拉電阻,而采用CMOS工藝的TLC770X的復(fù)位端為推挽式輸出,因此無(wú)需外接電阻。

4 內(nèi)部參考電壓

TL770X的內(nèi)部參考電壓為2.5V,而TLC770X為1.1V。在實(shí)際應(yīng)用時(shí),先將被監(jiān)控的電壓經(jīng)過電阻分壓,再將分壓后的電壓值作為監(jiān)控電路的電壓感知端(SENSE)的輸入來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)某個(gè)電壓的監(jiān)控。由于兩種器件的內(nèi)部參考電壓不同,因此,設(shè)計(jì)時(shí)要選用不同的阻值。

圖4所示為TLC770X的一個(gè)實(shí)際應(yīng)用電路。

根據(jù)上面的討論,如需在電路中用TLC770X替換TL770X,則應(yīng)在電路上做如下改進(jìn):

(1)將TL770X引腳1上的電容去掉。

(2)根據(jù)延遲時(shí)間公式來(lái)替換電容的值。

(3)去掉TL770X復(fù)位端的上拉或下拉電阻。

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