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Hynix Semiconductor近日表示,將投資2.30億美元在無(wú)錫與STMicroelectronics的合資工廠(chǎng)邊上興建一座新工廠(chǎng),生產(chǎn)DRAM和NAND Flash產(chǎn)品。

Hynix Semiconductor與ST Microelectronics在無(wú)錫投資建造的存儲(chǔ)器前端制造工廠(chǎng),主要生產(chǎn)針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的產(chǎn)品,采用Hynix Semiconductor舊設(shè)備及生產(chǎn)工藝的第一條200mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)將于今年7月投入使用,而300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)最快會(huì)在2006年底投產(chǎn)。

Hynix Semiconductor發(fā)言人表示,新建工廠(chǎng)除為了增加Hynix Semiconductor自有產(chǎn)能外,也將承擔(dān)部分與ST Microelectronics合資企業(yè)的生產(chǎn)任務(wù)。

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