該協(xié)議擴(kuò)展了通過ARM網(wǎng)站可以下載的基于TSMC工藝的先進(jìn)物理IP今天,ARM公司和TSMC簽署協(xié)議把公司的長(zhǎng)期合作關(guān)系擴(kuò)展至開發(fā)一套全新的ARM®Advantage™產(chǎn)品,該產(chǎn)品是Artisan®物理IP系列產(chǎn)品的一部分,用來支持TSMC的65納米和45納米工藝。通過該協(xié)議,用戶可以從ARMAccessLibraryProgram獲得針對(duì)TSMC先進(jìn)技術(shù)的ARMAdvantage產(chǎn)品。ARM物理IP營(yíng)銷副總裁NealCarney表示：“通過這個(gè)協(xié)議,ARM和TSMC已經(jīng)為未來全球設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)獲得高
該協(xié)議擴(kuò)展了通過ARM網(wǎng)站可以下載的基于TSMC工藝的先進(jìn)物理
IP 今天,ARM公司和TSMC簽署協(xié)議把公司的長(zhǎng)期合作關(guān)系擴(kuò)展至開發(fā)一套全新的ARM&
reg; Advantage™產(chǎn)品,該產(chǎn)品是Artisan®物理IP系列產(chǎn)品的一部分,用來支持TSMC的65納米和45納米工藝。通過該協(xié)議,用戶可以從ARM Access Library Program獲得針對(duì)TSMC先進(jìn)技術(shù)的ARM Advantage產(chǎn)品。
ARM物理IP營(yíng)銷副總裁Neal Carney表示：“通過這個(gè)協(xié)議,ARM和TSMC已經(jīng)為未來全球設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)獲得高精技術(shù)奠定了基礎(chǔ);兩家公司將共同致力于為用戶提供從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的無縫流程。ARM Advantage IP綜合套件和TSMC最先進(jìn)的制造技術(shù)的組合提供了能夠滿足
SoC設(shè)計(jì)師對(duì)于性能和功耗管理要求的業(yè)界領(lǐng)先的解決方案�！�
TSMC設(shè)計(jì)服務(wù)營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Ed Wan表示：“TSMC的客戶已經(jīng)享受到TSMC先進(jìn)的65納米技術(shù)所帶來的好處。隨著越來越多的設(shè)計(jì)師開始采用這個(gè)技術(shù),對(duì)于高度集成同時(shí)使用簡(jiǎn)便的IP的要求就變得越來越重要。通過ARM Access Library Program,設(shè)計(jì)師可以實(shí)現(xiàn)高價(jià)值、低風(fēng)險(xiǎn)和大大簡(jiǎn)化的使用途徑�！�
ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現(xiàn),滿足消費(fèi)
電子、通訊和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)眾多應(yīng)用的需求。Advantage標(biāo)準(zhǔn)單元包括功耗管理工具包,實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)和漏泄功耗節(jié)省技術(shù),例如時(shí)鐘門控、多電壓分離和電能門控等。它還提供五個(gè)Advantage存儲(chǔ)編譯器,提供相似的高級(jí)功耗節(jié)省特性。該產(chǎn)品套件在擴(kuò)展了的電壓范圍內(nèi)對(duì)時(shí)鐘和功耗作了特殊設(shè)置,使得設(shè)計(jì)師可以完成多電壓設(shè)計(jì)的精確模擬。此外,ARM還將發(fā)布TSMC Nexsys I/O產(chǎn)品,從而提供完整的物理IP。
Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集,提供了與眾多業(yè)界領(lǐng)先的EDA工具的整合。這些views在廣泛的運(yùn)行條件下可以為Advantage產(chǎn)品提供功能、時(shí)鐘和功耗信息,使得設(shè)計(jì)師可以在SoC中實(shí)現(xiàn)能夠積極控制動(dòng)態(tài)和漏泄功耗的復(fù)雜功耗管理系統(tǒng)。
TSMC 65納米技術(shù)的成功是建立在其業(yè)界領(lǐng)先的0.13微米和90納米技術(shù)的基礎(chǔ)上。TSMC預(yù)計(jì)2006年65納米產(chǎn)品將會(huì)有一個(gè)爆發(fā)式的增長(zhǎng)。公司每2個(gè)月會(huì)啟動(dòng)65納米的原型驗(yàn)證試驗(yàn)線,幫助客戶和EDA、IP和庫供應(yīng)商就他們的尖端設(shè)計(jì)進(jìn)行原型試驗(yàn)和驗(yàn)證。
TSMC 65納米NexsysSM技術(shù)是其同時(shí)采用了銅互連和low-k絕緣技術(shù)的第三代半導(dǎo)體工藝。它是一個(gè)9層金屬工藝,核電壓1.0或1.2伏,I/O電壓1.8,2.5或3.3伏。與TSMC現(xiàn)有的90nm Nexsys工藝相比,這項(xiàng)新工藝技術(shù)可以將使標(biāo)準(zhǔn)單元門的密度翻倍。它同時(shí)還有很具競(jìng)爭(zhēng)力的六
晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(6T SRAM)和單晶體嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體（1T embedded DRAM）這兩種存儲(chǔ)單元尺寸。此外,該技術(shù)還包括支持模擬和無線設(shè)計(jì)的混合信號(hào)和無線電頻率功能,支持邏輯和存儲(chǔ)整合的嵌入式高密度存儲(chǔ),以及支持客戶加密需求的電子
保險(xiǎn)絲選項(xiàng)功能。
