IR推出100V集成MOSFET解決方案
為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間
世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司（International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi),可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet,簡(jiǎn)稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn),例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間,或相當(dāng)于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“PoE卡的每個(gè)端口都需要有各自的MOSFET,IRF4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨(dú)MOSFET的解決方案相比,它能大幅度減少零件數(shù)目,同時(shí)簡(jiǎn)化制造工藝,可在48端口系統(tǒng)中節(jié)省36個(gè)插入元件。”
IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中由電源設(shè)備通過(guò)局域網(wǎng)向用電裝置供電的標(biāo)準(zhǔn)。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個(gè)熱交換場(chǎng)效應(yīng)管,在受控環(huán)境下,可將電力由電源設(shè)備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區(qū)域工作,工作環(huán)境也非常嚴(yán)峻,因此必須設(shè)置一個(gè)高度穩(wěn)定的安全工作區(qū)域（SOA）。
IRF4000采用低跨導(dǎo)硅技術(shù),封裝熱阻約1°C/W,在線性區(qū)域工作時(shí)可高效地散發(fā)熱量。該器件經(jīng)過(guò)全面的電學(xué)和熱特性優(yōu)化,以適應(yīng)最苛刻的IEEE 802.3af工作條件,與獨(dú)立的SOT-223 MOSFET 相比,該器件安全工作區(qū)域增加56%,有效改善了系統(tǒng)的可靠性和耐熱性。
IRF4000除了適用于48端口系統(tǒng),還適用于96端口產(chǎn)品或更小型的12端口PoE 插頭模組。在各種情況下,每個(gè)IRF4000器件都可以取代4個(gè)端口。新器件已經(jīng)通過(guò)MSL3J認(rèn)證。
IRF4000除了符合IEEE 802.3af規(guī)范,還能夠滿足即將問(wèn)世的針對(duì)高功率負(fù)載的PoE Plus構(gòu)架的要求。
